-
公开(公告)号：CN101704509A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910238792.5
申请日：2009-11-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明是一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法，称取Zn粉和Fe粉均匀混合后置于刚玉舟内；将硅片镀有金膜面朝下，固定在刚玉舟的上方，通入Ar气，加热后随炉冷却，制得ZnO纳米籽晶。配制生长溶液，加热搅拌后，将制得的ZnO纳米籽晶放入生长溶液中进行生长后，将硅片取出用去离子水洗净，自然风干制得掺杂Al的ZnO纳米柱。该方法结合CVD和溶液生长两种方法的优点，不需要采用在真空中反应，同时生长的温度更低，明显地降低了生产成本，且该方法避免了使用反应釜，可以在常压下进行，简化了实验条件。是一种比较温和，工艺简单、成本低的Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法。
-
公开(公告)号：CN101538062A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226270B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510695062.3
申请日：2015-10-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了具有镍锰浓度梯度的锂镍锰氧化物正极材料及其制备方法。所述锂镍锰氧化物正极材料的平均化学组成可由分子式LiNi0.5‑xMn1.5+xO4表示，其中，0.1≤x≤0.35；Ni的浓度从所述锂镍锰氧化物正极材料的颗粒中心向颗粒表面呈逐渐升高的梯度分布，而Mn的浓度从所述锂镍锰氧化物正极材料的颗粒中心向颗粒表面呈逐渐降低的梯度分布；所述制备方法首先通过共沉淀工艺合成具有核壳结构的类球形颗粒，再利用高温焙烧过程中元素的扩散制备具有镍锰浓度变化的锂镍锰氧化物正极材料。本发明所述正极材料具有优异的高温循环稳定性和倍率性能，以及更高的可逆容量、化学稳定性和循环寿命，优异的综合电化学性能。
-
公开(公告)号：CN102744517B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210233001.1
申请日：2012-07-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双相不锈钢中空夹层结构件制造方法，属于材料加工领域。首先通过冷轧方法，制成冷轧变形量不同的双相不锈钢超塑性板材，冷轧变形量的范围为40～90%。将冷轧变形量不同的多层双相不锈钢超塑性板材按通常的超塑成形/扩散连接方法，加工成中空夹层结构件。在相同的扩散连接温度条件下，冷轧变形量不同，各个双相不锈钢超塑性板材的组织变化规律不同，利用两层双相不锈钢超塑性板材界面组织变化的差异，可以提高双相不锈钢板材的表面化学活性化，由此达到提高双相不锈钢板材超塑成形/扩散连接性能的目的。该方法在制造轻量化中空夹层结构件方面具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102744517A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210233001.1
申请日：2012-07-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种双相不锈钢中空夹层结构件制造方法，属于材料加工领域。首先通过冷轧方法，制成冷轧变形量不同的双相不锈钢超塑性板材，冷轧变形量的范围为40～90%。将冷轧变形量不同的多层双相不锈钢超塑性板材按通常的超塑成形/扩散连接方法，加工成中空夹层结构件。在相同的扩散连接温度条件下，冷轧变形量不同，各个双相不锈钢超塑性板材的组织变化规律不同，利用两层双相不锈钢超塑性板材界面组织变化的差异，可以提高双相不锈钢板材的表面化学活性化，由此达到提高双相不锈钢板材超塑成形/扩散连接性能的目的。该方法在制造轻量化中空夹层结构件方面具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105226270A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510695062.3
申请日：2015-10-22
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/502 , H01M4/523 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了具有镍锰浓度梯度的锂镍锰氧化物正极材料及其制备方法。所述锂镍锰氧化物正极材料的平均化学组成可由分子式LiNi0.5-xMn1.5+xO4表示，其中，0.1≤x≤0.35；Ni的浓度从所述锂镍锰氧化物正极材料的颗粒中心向颗粒表面呈逐渐升高的梯度分布，而Mn的浓度从所述锂镍锰氧化物正极材料的颗粒中心向颗粒表面呈逐渐降低的梯度分布；所述制备方法首先通过共沉淀工艺合成具有核壳结构的类球形颗粒，再利用高温焙烧过程中元素的扩散制备具有镍锰浓度变化的锂镍锰氧化物正极材料。本发明所述正极材料具有优异的高温循环稳定性和倍率性能，以及更高的可逆容量、化学稳定性和循环寿命，优异的综合电化学性能。
-
公开(公告)号：CN101538062B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910082124.8
申请日：2009-04-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米ZnO半导体结阵列及其制备方法，属于低维纳米材料和纳米技术领域。本方法采用CVD方法在Si衬底上制备出ZnO籽晶，然后将籽晶放置在溶液中继续生长；将溶液法生长后的产物进行热处理，冷却后再进行一次溶液法生长即可获得所需要的产物。在两次溶液法生长过程中可以对ZnO进行掺杂，实现ZnO半导体结的阵列化，且能实现在单个ZnO微米柱上生长纳米ZnO阵列。本方法不仅能够实现ZnO同质结阵列的生长，也可用来生长ZnO异质结阵列，且生长温度低，设备简单，成本低。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.031 seconds)
