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公开(公告)号：CN1923753A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610030049.7
申请日：2006-08-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 北京科技大学
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种制备导电氮化硅/氮化钛纳米复合材料的方法，其特征在于在液氨溶液中，以Si3N4粉为成核基体，钛的卤化物和碱金属为反应原料，按Si3N4与TiN的体积比为90∶10～75∶25配料，在Si3N4颗粒表面一步原位反应合成纳米TiN，形成TiN包裹的Si3N4复合粉体；最后将复合粉体在700～900℃热处理后用SPS方法快速烧结，烧结温度为1500～1650℃，压力为50～70MPa，保温2～6分钟。制备的纳米复合材料，显微结构精细，晶粒尺寸小于500nm，断裂韧性达到了4.7MPa.m1/2，并且当TiN体积含量达到或者超过20％时，所制备的复合材料的可采用放电切割机进行复杂形状的加工，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN101475151A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810117602.X
申请日：2008-08-01
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C01B21/076 , C01B21/068 , C04B35/628 , C04B35/58 , C04B35/584 , C04B35/622
摘要： 本发明属于导电复合陶瓷领域，涉及一种导电氮化钛/氮化硅纳米复合材料的制备方法，其特征在于低温液相条件下以四氯化钛(TiCl4)和四氯化硅(SiCl4)为原料，在－50℃～20℃温度范围，二者同时被还原，直接得到TiN/Si3N4共沉淀型复合粉体；该复合粉体能够在氮化硅微米或亚微米颗粒的表面形核，直接制备出由纳米TiN和纳米Si3N4共同包覆的复合粉体。通过控制纳米复合粉末中TiN的含量，能够获得满足电火花加工(EDM)的纳米导电复合材料。本发明制备的氮化钛/氮化硅纳米复合材料成分均匀，颗粒细微，而且工艺简便，能耗低，具有推广前景。
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公开(公告)号：CN101318637A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810116673.8
申请日：2008-07-15
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C01B21/068 , C04B35/584
摘要： 本发明提供了一种纳米氮化硅陶瓷粉体的制备方法，属纳米陶瓷材料领域。选择液氨作为反应介质，以卤化硅，包括氯化硅、溴化硅、碘化硅为原料，碱金属钾或钠为还原剂，二者分别溶解于液氨，在－60℃～20℃范围发生液相还原反应，产物经过洗涤提纯、热处理过程，制备出稳定的纳米氮化硅粉体。本发明目的在于采用液氨法低温合成纳米氮化硅陶瓷粉体，简化工艺，提高性能，降低成本，利用碱金属溶解于液氨形成液相强还原剂的特性，在低温条件下制备出比表面积大，纯度高，粒径均匀的纳米氮化硅陶瓷粉体。该粉体不需要任何烧结助剂就能够在较低温度下、短时间内制备获得致密的氮化硅陶瓷体。
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公开(公告)号：CN101735809B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910242244.X
申请日：2009-12-04
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C09K11/64
摘要： 本发明是关于一种将蓝光或紫光转化为红光的荧光材料，该荧光材料的化学通式表示为：(Ca1-x-ySrxEu2+y)3Al2O6，其中，0＜x+y＜1。其制备方法是将含表示式中元素的碳酸盐、氧化物、磷酸盐、草酸盐、硝酸盐等原料的混合物，研磨并混合均匀后，在还原气氛中，以900～1400℃烧结1～10小时，得到一种红光荧光粉，激发波长位于390～510nm之间，发射波长位于570～670nm之间。其激发带与蓝光氮化镓LED芯片的发射峰重叠，能够有效被其激发，可作为LED用红色荧光粉。
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公开(公告)号：CN101735809A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242244.X
申请日：2009-12-04
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： C09K11/64
摘要： 本发明是关于一种将蓝光或紫光转化为红光的荧光材料，该荧光材料的化学通式表示为：(Ca1-x-ySrxEu2+y)3Al2O6，其中，0＜x+y＜1。其制备方法是将含表示式中元素的碳酸盐、氧化物、磷酸盐、草酸盐、硝酸盐等原料的混合物，研磨并混合均匀后，在还原气氛中，以900～1400℃烧结1～10小时，得到一种红光荧光粉，激发波长位于390～510nm之间，发射波长位于570～670nm之间。其激发带与蓝光氮化镓LED芯片的发射峰重叠，能够有效被其激发，可作为LED用红色荧光粉。
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公开(公告)号：CN100408511C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610030049.7
申请日：2006-08-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 北京科技大学
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种制备导电氮化硅/氮化钛纳米复合材料的方法，其特征在于在液氨溶液中，以Si3N4粉为成核基体，钛的卤化物和碱金属为反应原料，按Si3N4与TiN的体积比为90∶10～75∶25配料，在Si3N4颗粒表面一步原位反应合成纳米TiN，形成TiN包裹的Si3N4复合粉体；最后将复合粉体在700～900℃热处理后用SPS方法快速烧结，烧结温度为1500～1650℃，压力为50～70MPa，保温2～6分钟。制备的纳米复合材料，显微结构精细，晶粒尺寸小于500nm，断裂韧性达到了4.7MPa.m1/2，并且当TiN体积含量达到或者超过20%时，所制备的复合材料的可采用放电切割机进行复杂形状的加工，降低加工成本。
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