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公开(公告)号：CN110943178A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911167918.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管，属于纳米科技和发光显示领域。本发明二极管是由透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、多维量子阱结构CsPbX3纳米晶发光层EL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成。本发明首先采用化学合成法制备自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶溶液，再采用旋涂技术在TOC上依次旋涂空穴传输层材料HTL、CsPbX3自组装多维量子阱纳米晶溶液、电子传输层材料ETL，最后通过真空蒸发技术在ETL上沉积金属阴极CL。本发明可以通过调控自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶的维度和成分就可以实现400～700纳米可见光发光范围内任意发光谱；而且多维量子阱结构CsPbX3纳米晶的荧光量子产率高、缺陷少；电致发光二极管发光效率和外量子效率高、稳定性好、寿命长。
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公开(公告)号：CN114864835A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210412087.8
申请日：2022-04-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米科技和发光显示技术领域，提供了一种蓝光钙钛矿量子点薄膜和电致发光二极管及制备。采用富溴离子溶液化学合成法获得高荧光产率(PLQY)>90％的蓝光发射钙钛矿量子点，通过配体交换工艺获得有机配体量子点PQD‑1和无机配体量子点PQD‑2，然后制备由PQD‑1层、氯化锌钝化层、PQD‑2层构成三层结构量子点薄膜，最后与透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成电致发光二极管。本发明电致发光二极管显著降低激子结合能来抑制俄歇复合，并降低电子注入速率来与空穴注入速率达到平衡；本发明电致发光二极管的电流效率和外量子效率高、稳定性好、工作寿命长。
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公开(公告)号：CN110943178B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201911167918.4
申请日：2019-11-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管，属于纳米科技和发光显示领域。本发明二极管是由透明导电氧化物阳极TOC、空穴传输层材料HTL、多维量子阱结构CsPbX3纳米晶发光层EL、电子传输层材料ETL和金属阴极CL组成。本发明首先采用化学合成法制备自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶溶液，再采用旋涂技术在TOC上依次旋涂空穴传输层材料HTL、CsPbX3自组装多维量子阱纳米晶溶液、电子传输层材料ETL，最后通过真空蒸发技术在ETL上沉积金属阴极CL。本发明可以通过调控自组装多维量子阱CsPbX3纳米晶的维度和成分就可以实现400～700纳米可见光发光范围内任意发光谱；而且多维量子阱结构CsPbX3纳米晶的荧光量子产率高、缺陷少；电致发光二极管发光效率和外量子效率高、稳定性好、寿命长。
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公开(公告)号：CN107201227B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710473962.2
申请日：2017-06-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种微波辅助加热合成CsSnX3钙钛矿量子点的方法，属于半导体与纳米科技领域。将碳酸铯(Cs2CO3)、油酸(OA)和油胺(OAm)按照摩尔比1:0.375:0.375的比例，加入到十八烯(ODE)与极性溶剂体积比为1:3～1:5的混合溶剂中，然后置于微波加热装置中，搅拌、抽真空，并升温至60～100℃，保温至溶解获得摩尔浓度为0.5～1.5M铯的前驱体溶液；通入惰性气体，升温度至150～190℃，快速注入0.5～1.5M的卤化锡(SnX2)三辛基膦(TOP)溶液，反应1～5min，降温后再加入乙酸甲酯或叔丁醇，进行离心，再用正己烷进行洗涤3‑5次，干燥后获得CsSnX3量子点粉体。本发明方法反应温度场的温度分布均匀且精确可控、加热和降温速度快、制备周期短和产率高；量子点结晶性高、表面缺陷少、尺寸分布均一、荧光量子产率高和安全性高。
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公开(公告)号：CN107201227A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710473962.2
申请日：2017-06-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种微波辅助加热合成CsSnX3钙钛矿量子点的方法，属于半导体与纳米科技领域。将碳酸铯(Cs2CO3)、油酸(OA)和油胺(OAm)按照摩尔比1:0.375:0.375的比例，加入到十八烯(ODE)与极性溶剂体积比为1:3～1:5的混合溶剂中，然后置于微波加热装置中，搅拌、抽真空，并升温至60～100℃，保温至溶解获得摩尔浓度为0.5～1.5M铯的前驱体溶液；通入惰性气体，升温度至150～190℃，快速注入0.5～1.5M的卤化锡(SnX2)三辛基膦(TOP)溶液，反应1～5min，降温后再加入乙酸甲酯或叔丁醇，进行离心，再用正己烷进行洗涤3‑5次，干燥后获得CsSnX3量子点粉体。本发明方法反应温度场的温度分布均匀且精确可控、加热和降温速度快、制备周期短和产率高；量子点结晶性高、表面缺陷少、尺寸分布均一、荧光量子产率高和安全性高。
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