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公开(公告)号：CN106753326A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611022828.2
申请日：2016-11-21
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明属于量子点制备领域，涉及一种M:ZnSe/ZnSe/ZnS核壳结构量子点制备方法：在惰性气氛下，通过微波辅助加热装置，采用溶剂热合成出金属离子掺杂的M:ZnSe量子点，将反应温度降至室温，并在反应溶液中注入锌源和有机表面配体溶液，在M:ZnSe量子点外层形成ZnSe壳层，调整微波反应温度，注入硫化钠溶液，形成M:ZnSe/ZnSe/ZnS核壳结构的量子点。经过洗涤、离心获得的量子点粉体，同时量子点分散于异丙醇、乙醇、乙二醇和去离子水组成的溶剂中形成量子点墨水。本发明方法温度控制精确、量子点尺寸均一、量子点表面缺陷少及生产效率高，三层核壳结构量子点具有更高的荧光量子产率。
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公开(公告)号：CN104091693B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410315476.4
申请日：2014-07-03
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01G9/20
摘要： 本发明属于太阳能电池和能源技术领域，特别涉及一种Cd1-xMnxSe量子点太阳能电池的制备方法。本发明将膜厚为4～20微米的TiO2、ZnO、SnO2或Zn2SnO4多孔光阳极，静置于由Cd2+、Mn2+、Se源和缓释剂按照特定比例组成的浓度为0.03～0.50摩尔浓度的反应溶液中，在避光条件下，5～40摄氏度，反应1～5小时，在多孔光阳极的氧化物颗粒表面原位形成Cd1-xMnxSe(x＝0～0.8)量子点。将负载量子点的光阳极薄膜与浓度为0.1～3.0摩尔浓度的多硫化物电解质、Cu2S对电极组装成量子点太阳能电池。本发明获得高效率量子点太阳能电池，制备工艺简单、成本较低、易批量化生产，具有广泛的应用前景和研究价值。
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公开(公告)号：CN104091693A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410315476.4
申请日：2014-07-03
申请人： 北京科技大学
IPC分类号： H01G9/20
摘要： 本发明属于太阳能电池和能源技术领域，特别涉及一种Cd1-xMnxSe量子点太阳能电池的制备方法。本发明将膜厚为4～20微米的TiO2、ZnO、SnO2或Zn2SnO4多孔光阳极，静置于由Cd2+、Mn2+、Se源和缓释剂按照特定比例组成的浓度为0.03～0.50摩尔浓度的反应溶液中，在避光条件下，5～40摄氏度，反应1～5小时，在多孔光阳极的氧化物颗粒表面原位形成Cd1-xMnxSe(x＝0～0.8)量子点。将负载量子点的光阳极薄膜与浓度为0.1～3.0摩尔浓度的多硫化物电解质、Cu2S对电极组装成量子点太阳能电池。本发明获得高效率量子点太阳能电池，制备工艺简单、成本较低、易批量化生产，具有广泛的应用前景和研究价值。
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公开(公告)号：CN104409642A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410673751.X
申请日：2014-11-21
申请人： 北京科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L2251/10 , H01L2251/301
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池和纳米技术领域。本发明的钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池是由透明导电电极(1)、致密层(2)、n型半导体介孔层(3)、钙钛矿相吸光层(4)、p型半导体量子点层(5)和对电极(6)组成。p型半导体量子点为Cu2O、CuI、CuInS2、PbS、PbSe或Sb2S3，替代昂贵的有机空穴传输材料，能有效分离太阳能电池中的光生载流子，降低电子与空穴的复合，显著提高填充因子和光电转换效率。本发明的太阳能电池光电转换效率高、制备工艺简单、原料成本低、易于产业化实施。
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公开(公告)号：CN104332315A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410591946.X
申请日：2014-10-29
申请人： 北京科技大学
摘要： 本发明属于太阳能电池和能源技术领域，特别涉及一种量子点敏化太阳能电池多孔纳米晶Cu2S对电极的制备方法。本发明以乙酸铜和硫代乙酰胺为前驱体，通过溶剂热反应获得尺寸20～100纳米的硫化亚铜(Cu2S)纳米颗粒，并与乙醇配置成浆料，利用刮涂法、丝网印刷法或旋涂法在导电基体形成5～10微米的Cu2S纳米晶多孔薄膜，在惰性气氛或真空中300～500℃下烧结10～60分钟获得电池电极。本发明制备的Cu2S纳米多孔对电极，极大增加了对电极与电解液的接触面积，进而增加了Cu2S与电解液的催化反应位点，提高了太阳能电池的性能。另外，本发明制备工艺简单，成本较低，具有广泛的应用前景和研究价值。
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公开(公告)号：CN104409642B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410673751.X
申请日：2014-11-21
申请人： 北京科技大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池和纳米技术领域。本发明的钙钛矿/P型量子点复合结构太阳能电池是由透明导电电极(1)、致密层(2)、n型半导体介孔层(3)、钙钛矿相吸光层(4)、p型半导体量子点层(5)和对电极(6)组成。p型半导体量子点为Cu2O、CuI、CuInS2、PbS、PbSe或Sb2S3，替代昂贵的有机空穴传输材料，能有效分离太阳能电池中的光生载流子，降低电子与空穴的复合，显著提高填充因子和光电转换效率。本发明的太阳能电池光电转换效率高、制备工艺简单、原料成本低、易于产业化实施。
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公开(公告)号：CN108269939A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810014660.3
申请日：2018-01-08
申请人： 北京科技大学
CPC分类号： H01L51/502 , H01L51/0003 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要： 本发明公开了一种近红外量子点发光二极管的制备方法，属于发光、显示与纳米科技领域。本发明的近红外量子点发光二极管(QLED)是由透明导电氧化物阳极TOC(1)、空穴传输层HTL(2)、CdSeTe量子点发光层EL(3)、电子传输层ETL(4)和金属阴极CL(5)组成。本发明采用喷涂技术在TOC(1)上逐步形成厚度可控的HTL(2)、EL(3)、ETL(4)和CL(5)。通过调控CdSeTe三元量子成分与尺寸可以实现在800nm～900nm近红外发光范围内任意可调。本发明制备技术有利用大规模、大面积制备和工业化生产，且材料利用率高、成本低。本发明的近红外量子点发光二极管发光效率高、稳定性好。
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