公开(公告)号：CN119101912A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411322132.6

申请日：2024-09-20

Applicant: 北京科技大学 ,  兰州理工大学

Inventor： 黄峥 ,  王哲 ,  许靓雅 ,  焦树强 ,  朱骏

IPC: C25B1/33 ,  C25B1/50 ,  C25B9/60 ,  C25B9/67 ,  C25B15/021 ,  C25B15/02

Abstract: 本发明提供了一种熔融硅氧酸盐可持续电解提取高纯硅的方法，将电解质置于电解容器中，然后将阴极和阳极浸入电解质中，在惰性气体气氛下将电解容器升温至600‑900℃，将电极接通电源并以电流密度为25‑100mA·cm‑2的恒电流向电极供电1h以上；电解结束后，在惰性气体气氛中将阴极冷却至室温后取出，清洗、干燥，最终得到高纯度晶体硅。经过本发明电解方法电沉积的硅杂质浓度低、纯度高，能够获得纯度为99.9998％以上的高纯硅。本发明的电解方法具有能耗低、效率高等优点，基于本发明的方法，电流效率能够达到80％以上；本发明电沉积所用电解液成本低，对环境友好无污染经过本发明电解方法电沉积的硅致密性好、孔洞少、基本无表面裂缝。

公开(公告)号：CN118910679A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410943331.2

申请日：2024-07-15

Applicant: 兰州理工大学 ,  北京科技大学

Inventor： 焦树强 ,  王哲 ,  许靓雅 ,  李世杰 ,  黄峥

IPC: C25C3/34 ,  C25C7/00 ,  C25C7/06

Abstract: 本发明提供了一种一步法熔盐电解制备高硅钢的方法，属于金属材料合成与加工领域。本发明采用氟化物、氯化物熔盐加入氧化物、氟硅酸盐的工艺，取基底为≤3wt％Si的硅钢或纯铁，厚度为0.1～0.65mm，宽度为10mm。经表面处理作阴极，硅棒作阳极，在氟化物、氯化物熔盐中经过特定的温度恒电流电解进行沉积硅和扩散硅处理，本发明通过调控电流密度、电解温度、时间和熔盐中硅离子浓度等参数，在1000℃～1200℃沉积和扩散同时进行，使沉积的硅均匀扩散至基体内部，最终制得6.5wt％Si硅钢。该工艺使用≤3wt％Si硅钢或纯铁为初始原料，制备的高硅钢具有良好的磁性能和延伸性能，实现了熔盐及电解质的绿色循环利用，易加工且可大规模生产应用。