一种具有宽波可调、自驱动和自清洁特性的智能光伏窗及其制备方法

    公开(公告)号:CN118522813A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310741685.4

    申请日:2023-06-21

    发明人: 王茜 余黎 那宗旭

    摘要: 本发明公开了一种由多功能变色单元与硅太阳能电池组装而成,具有宽波可调、自驱动和自清洁特性的智能光伏窗。其中,叠层结构多功能变色单元主要包含二氧化钒@二氧化硅/聚氨酯纳米复合薄膜、具有近晶‑胆甾相相转变的聚合物稳定液晶、氧化铟锡和二氧化硅涂层,其分别作为近红外光调节层、可见光调节层、电热层和超疏水层。基于以上设计,智能光伏窗可在380‑2500 nm波长范围内实现透过率的动态调节,从而达到理想的节能效果。结合硅电池高的输出功率和氧化铟锡优异的直流电热效应实现了智能光伏窗自驱动特性,进一步提高其节能效果。此外,接触角高达150 o~160 o的二氧化硅超疏水涂层有效解决了智能光伏窗环境依赖性,在雨雪等复杂天气条件下也具有较好的视野。本发明可拓宽智能光伏窗在节能建筑、汽车和柔性光电器件等领域的应用。

    一种三维导电网络结构复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111682169A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010397958.4

    申请日:2020-05-12

    申请人: 湖北大学

    摘要: 发明涉及锂硫电池正极材料技术领域,尤其涉及一种三维导电网络结构复合材料及其制备方法和应用。该方法包括以下步骤:1)将六水氯化铁、氢氧化钠和去离子水在高温下混合,得到第一混合溶液;2)将所述第一混合溶液进行水热反应,得到氧化铁;3)将氧化铁与碳化钛、聚丙烯腈和二甲基甲酰胺配置成第二混合溶液,对所述第二混合溶液进行静电纺丝,得到红棕色的纤维膜;4)将所述纤维膜进行前后两次煅烧处理,得到煅烧产物;5)将所述煅烧产物浸入盐酸溶液中进行刻蚀处理,得到刻蚀产物;6)将所述刻蚀产物与升化硫均匀混合后进行煅烧,得到三维导电网络结构复合材料。该材料可作为高性能的锂硫电池正极材料。

    分离材料及其制备方法和在分离废旧锂离子电池电极浸出液中铜铝杂质金属离子中的应用

    公开(公告)号:CN117477081A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202311247890.1

    申请日:2023-09-26

    申请人: 湖北大学

    摘要: 本发明属于锂电池回收技术领域,具体涉及一种分离材料及其制备方法和在分离废旧锂离子电池电极浸出液中铜铝杂质金属离子中的应用。该分离材料为由两种有机羧酸组成的混合物,两种有机羧酸的摩尔占比为(0.2~0.4):1。本发明所提供的分离材料中的有机羧酸具有一定数量的游离氢离子维持弱酸性的反应环境,同时内含的羧基官能团在弱酸性环境下可以与金属阳离子(铜离子、铝离子)交换以Men+形式与碳数较少的羧酸形成二聚体(例如Cu‑octA、Al‑octA)。而且两种有机羧酸组成的混合物具有疏水的特性,因此二聚体与浸出液各自分离至有机相和水相之中,达到高效、快速、经济和环保提取杂质金属离子的目的,进一步提升了有价金属的回收纯度。

    一种二硫化钨量子点/C掺杂类石墨相氮化碳纳米片异质结构光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112536056B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201910896491.5

    申请日:2019-09-20

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: B01J27/24 C01B3/04

    摘要: 本发明涉及一种WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂的制备方法,包括:(1)C掺杂g‑C3N4纳米片的制备:碳源与碳氮源混合并进行煅烧,制得C掺杂g‑C3N4,煅烧后进行研磨,研磨后再次煅烧,制得C掺杂g‑C3N4纳米片;(2)WS2量子点的制备:将钨源与硫源混合超声,转入高压反应釜反应,制得WS2量子点;(3)将WS2量子点与C掺杂g‑C3N4纳米片混合超声,得到WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂。还公开了上述方法制得的WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂在光催化析氢方面的应用。

    一种二硫化钨量子点/C掺杂类石墨相氮化碳纳米片异质结构光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112536056A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910896491.5

    申请日:2019-09-20

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: B01J27/24 C01B3/04

    摘要: 本发明涉及一种WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂的制备方法,包括:(1)C掺杂g‑C3N4纳米片的制备:碳源与碳氮源混合并进行煅烧,制得C掺杂g‑C3N4,煅烧后进行研磨,研磨后再次煅烧,制得C掺杂g‑C3N4纳米片;(2)WS2量子点的制备:将钨源与硫源混合超声,转入高压反应釜反应,制得WS2量子点;(3)将WS2量子点与C掺杂g‑C3N4纳米片混合超声,得到WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂。还公开了上述方法制得的WS2量子点/C掺杂g‑C3N4纳米片异质结构光催化剂在光催化析氢方面的应用。