公开(公告)号：CN109671534A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710951179.2

申请日：2017-10-13

申请人： 北京航空航天大学

发明人： 邓元 ,  申胜飞 ,  祝薇 ,  彭云成 ,  孔锡霞 ,  徐爽

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B5/14

摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜电极及其制备方法，属于柔性电极技术领域。本发明首先在预处理后的SiO2+Si基底上进行Cu薄膜电极的溅射沉积；然后将Cu薄膜电极向柔性基底上的转印，得到柔性薄膜电极。通过本发明可以高效、简易地在PET、PI柔性基底上制备出Cu薄膜电极。本发明利用应力诱导微剥离，通过调节溅射基底温度和薄膜厚度弱化了Cu薄膜电极在SiO2+Si基底表面的结合力，并调控了Cu薄膜电极表面的微纳结构，优化了Cu薄膜电极电阻率。通过本发明制备的PET、PI基柔性薄膜电极的电阻率低至3.2×10-8Ωm。

公开(公告)号：CN109671534B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201710951179.2

申请日：2017-10-13

申请人： 北京航空航天大学

发明人： 邓元 ,  申胜飞 ,  祝薇 ,  彭云成 ,  孔锡霞 ,  徐爽

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01B5/14

摘要： 本发明公开了一种柔性薄膜电极及其制备方法，属于柔性电极技术领域。本发明首先在预处理后的SiO2+Si基底上进行Cu薄膜电极的溅射沉积；然后将Cu薄膜电极向柔性基底上的转印，得到柔性薄膜电极。通过本发明可以高效、简易地在PET、PI柔性基底上制备出Cu薄膜电极。本发明利用应力诱导微剥离，通过调节溅射基底温度和薄膜厚度弱化了Cu薄膜电极在SiO2+Si基底表面的结合力，并调控了Cu薄膜电极表面的微纳结构，优化了Cu薄膜电极电阻率。通过本发明制备的PET、PI基柔性薄膜电极的电阻率低至3.2×10‑8Ωm。