一种超薄碳化硅纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN115744908B

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202211290004.9

    申请日:2022-10-21

    摘要: 本发明涉及材料领域,主要涉及一种超薄碳化硅纳米片的制备方法。通过以诸如石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯等片状材料为模板,以聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,让碳化硅前驱体聚碳硅烷在常温下沿着模板生长,并在惰性气氛中高温煅烧将前驱体转化为碳化硅,在空气气氛中高温去除模板即可获得厚度可调的超薄碳化硅纳米片。我们所制备的碳化硅纳米片经原子力显微镜测出其杨氏模量超过2TPa,强度超过45GPa,应变超过5%,其在微电子元件、微观力学,指导几乎无缺陷碳化硅的制备等方面有着很大的潜在应用。

    一种超薄碳化硅纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN115744908A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211290004.9

    申请日:2022-10-21

    摘要: 本发明涉及材料领域,主要涉及一种超薄碳化硅纳米片的制备方法。通过以诸如石墨烯、还原氧化石墨烯、氧化石墨烯等片状材料为模板,以聚乙烯吡咯烷酮为表面活性剂,让碳化硅前驱体聚碳硅烷在常温下沿着模板生长,并在惰性气氛中高温煅烧将前驱体转化为碳化硅,在空气气氛中高温去除模板即可获得厚度可调的超薄碳化硅纳米片。我们所制备的碳化硅纳米片经原子力显微镜测出其杨氏模量超过2TPa,强度超过45GPa,应变超过5%,其在微电子元件、微观力学,指导几乎无缺陷碳化硅的制备等方面有着很大的潜在应用。