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公开(公告)号:CN118501115A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410745455.X
申请日:2024-06-11
申请人: 北京航空航天大学
摘要: 本发明公开了一种基于压电调制的单光纤内窥超分辨成像装置及方法,属于光纤内窥镜成像领域,包括预校准成像装置和检测装置;在预校准成像装置中,包括激光器以及沿着激光器光路设置的物镜一、压电位移台、单根多模光纤、物镜二和相机,其中的物镜的数值孔径要高于单根多模光纤的数值孔径;在检测装置中,包括激光器,以及沿着激光器光路设置的分光镜、聚焦物镜、压电位移台、单根多模光纤和待测样品,分光镜的另一侧光路上连接有收光透镜和光电探测器;本发明采用上述方法,利用单像素的光电探测器采集荧光总光强进行成像,结合每一个光强对应的散斑图案可以实现单像素成像,并且其成像分辨率能够超过所用多模光纤的数值孔径对应的空间分辨率。
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公开(公告)号:CN118426266A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410558263.8
申请日:2024-05-07
申请人: 北京航空航天大学
摘要: 本发明公开了一种投影辅助的双路径激光干涉光刻系统及方法,属于光刻技术领域,一种投影辅助的双路径激光干涉光刻系统包括、光束整形组件、光传播方向调节组件、总激光偏振角度调节件以及双路径干涉光刻组件,同时公开了基于上述一种投影辅助的双路径激光干涉光刻系统的方法,采用上述一种投影辅助的双路径激光干涉光刻系统及方法,通过设置双路径干涉光刻组件形成两个相互垂直且不干涉的光束,其中一条路径的光束用于激光干涉光刻,在光刻胶上形成周期性的纳米结构,另外一条路径的光束用于投影光刻,将图案光刻到光刻胶上,最终可以实现大面积的任意图案的结构彩绘。
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