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公开(公告)号：CN113612102B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110872824.8
申请日：2021-07-30
摘要： 本发明的一种自旋太赫兹产生装置，包括发射器外壳、泵浦光入射孔、偏振分束器、四分之一波片、聚焦透镜、自旋太赫兹发射器、探测光出射孔；自旋太赫兹发射器由永磁铁、自旋太赫兹样片、硅透镜组成；自旋太赫兹样片平行泵浦光入射孔固定于聚焦透镜焦点处，由泵浦光入射孔入射的飞秒激光被聚焦透镜汇聚到自旋太赫兹样片上；通过引入偏振分束器、四分之一波片将飞秒激光能量全部作用于自旋太赫兹发射器上，并利用自旋太赫兹发射器反射的飞秒激光对产生的太赫兹进行探测，飞秒激光能量利用率大大提升，产生的太赫兹信号得到增强。
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公开(公告)号：CN113612102A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110872824.8
申请日：2021-07-30
摘要： 本发明的一种自旋太赫兹产生装置，包括发射器外壳、泵浦光入射孔、偏振分束器、四分之一波片、聚焦透镜、自旋太赫兹发射器、探测光出射孔；自旋太赫兹发射器由永磁铁、自旋太赫兹样片、硅透镜组成；自旋太赫兹样片平行泵浦光入射孔固定于聚焦透镜焦点处，由泵浦光入射孔入射的飞秒激光被聚焦透镜汇聚到自旋太赫兹样片上；通过引入偏振分束器、四分之一波片将飞秒激光能量全部作用于自旋太赫兹发射器上，并利用自旋太赫兹发射器反射的飞秒激光对产生的太赫兹进行探测，飞秒激光能量利用率大大提升，产生的太赫兹信号得到增强。
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公开(公告)号：CN113284704A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110536254.5
申请日：2021-05-17
摘要： 本发明公开了一种基于散热结构的自旋太赫兹发射器，包括发射器基底和散热组件，散热组件固定于发射器基底的励磁线圈侧，所述发射器基底包括第一支架、发射样片和快拆组件，快拆组件卡设于第一支架上，发射样片卡设于快拆组件中，第一支架的两侧缠绕设置励磁线圈，散热组件分别设置于励磁线圈的外侧，散热组件与第一支架一体成型；在励磁线圈附近设置散热组件，用于对励磁线圈所产生的焦耳热进行散热，以提高励磁线圈的工作寿命；多个散热片平行设置可以提高散热片的散热均匀性，多个散热片等间距设置，提高对励磁线圈的散热均匀性和稳定性，进而实现了对第一支架的散热作用。
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公开(公告)号：CN113008369B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110214261.3
申请日：2021-02-26
IPC分类号： G01J3/28
摘要： 本发明的一种自旋太赫兹产生装置，包括飞秒激光器、光开关、自旋太赫兹发射器、硅片、延迟线、离轴抛物面镜、光电导天线、衰减器、超快反射镜；飞秒激光器输出的飞秒激光经光开关调制后，照射到自旋太赫兹发射器上，产生太赫兹辐射；其中透过自旋太赫兹发射器的飞秒激光被硅片反射，称为太赫兹探测光，其依次经光纤延迟线、超快反射镜、衰减器后，照射到光电导天线上；产生的太赫兹透过硅片后，经离轴抛物面镜照射到光电导天线上上时，被光电导天线探测。本发明的自旋太赫兹产生装置，通过利用透过自旋太赫兹发射器的飞秒激光对产生的太赫兹进行探测，飞秒激光能量全部作用于自旋太赫兹发射器上，能量利用率大大提升。
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公开(公告)号：CN116536621A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310267427.7
申请日：2023-03-15
摘要： 本发明公开了一种基于掩模版法制作自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器的方法，包括：在衬底上沉积铁磁材料形成铁磁层，在铁磁层上覆盖掩模版A的阳版并沉积第一类重金属材料，取下掩模版A的阳版，放上掩模版A的阴版并沉积第一类重金属材料，取下掩模版A的阴版，放置掩模版B阳版并沉积第二类重金属材料，取下掩模版B的阳版，放上掩模版B的阴版并沉积第二类重金属材料，制得自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器。本发明使用四类掩模版并采用多次沉积方式制备上述自旋太赫兹菲涅尔波带片发射器，制备的太赫兹发射器具有太赫兹产生效率高，加工方便等特点。
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公开(公告)号：CN113489463B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110872829.0
申请日：2021-07-30
IPC分类号： H03F3/21
摘要： 本发明的一种偏振、振幅可控的自旋太赫兹控制系统，包括电压源模块，信号发生器模块，功率放大器模块，控制器模块，自旋太赫兹发射器组成；电压源模块用于给信号发生器模块、功率放大器模块供电，其输出电压为两者额定工作电压；信号发生器模块可以输出频率可调的脉冲电信号，其中脉冲电信号包括方波信号、正弦波信号等；功率放大器模块用于对信号发生器模块产生的脉冲电信号放大，其中功率放大器模块包含两个输出通道，即x通道和y通道；功率放大器模块放大后的脉冲电信号驱动自旋太赫兹发射器工作，产生偏振、振幅可控自旋太赫兹波。本发明的调控过程不同于传统机械调控太赫兹的振幅、偏振，而是采用电控制方式，调控效率以及速度得到提升。
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公开(公告)号：CN116254513A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310388002.1
申请日：2023-04-12
摘要： 本发明涉及团簇束流沉积装置，具体涉及一种用于超薄膜制备的团簇束流沉积系统，包括沉积腔，沉积腔通过连管与分子泵相连，沉积腔上分别设有TFO腔接口、取样腔接口、测试腔接口、磁控溅射端口，磁控溅射端口上连接有磁控溅射枪，沉积腔内部设有扫描底座，扫描底座包括框架、第一滑动座和沉积座，框架上设有用于驱动第一滑动座在平面内移动的平面驱动机构，平面驱动机构包括沿横向移动的第一推板，沿纵向移动的第二推板，以及分别开设于第一推板、第二推板上的第一限位开口、第二限位开口，第一滑动座设于第一限位开口、第二限位开口的交汇处；本发明提供的技术方案能够有效克服晶元团簇沉积效果较差、无法对衬底座进行有效调节的缺陷。
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公开(公告)号：CN115693351A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211272606.1
申请日：2022-10-18
IPC分类号： H01S1/02
摘要： 本发明公开了一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用，具体涉及自旋太赫兹发射设备领域，太赫兹发射器包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、金属光栅、磁铁对，所述自旋太赫兹薄膜设置在玻璃衬底的背面，所述金属光栅设置在玻璃衬底的正面。本发明的单向高效自旋太赫兹发射器，通过利用特殊设计的金属光栅，使得透过该金属光栅的飞秒泵浦光透过率较高，同时能够高效反射自旋太赫兹薄膜产生的背向太赫兹波，从而控制太赫兹的发射方向、提升自旋太赫兹波的产生效率。
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公开(公告)号：CN113284704B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110536254.5
申请日：2021-05-17
摘要： 本发明公开了一种基于散热结构的自旋太赫兹发射器，包括发射器基底和散热组件，散热组件固定于发射器基底的励磁线圈侧，所述发射器基底包括第一支架、发射样片和快拆组件，快拆组件卡设于第一支架上，发射样片卡设于快拆组件中，第一支架的两侧缠绕设置励磁线圈，散热组件分别设置于励磁线圈的外侧，散热组件与第一支架一体成型；在励磁线圈附近设置散热组件，用于对励磁线圈所产生的焦耳热进行散热，以提高励磁线圈的工作寿命；多个散热片平行设置可以提高散热片的散热均匀性，多个散热片等间距设置，提高对励磁线圈的散热均匀性和稳定性，进而实现了对第一支架的散热作用。
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公开(公告)号：CN116315985A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310267438.5
申请日：2023-03-15
摘要： 本发明公开了一种自聚焦自旋太赫兹发射器及应用，具体涉及自旋太赫兹发射设备领域，自聚焦自旋太赫兹发射器包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、磁铁对，其中自旋太赫兹薄膜由铁磁材料和两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料交替排列在铁磁材料上组成。本发明的自聚焦自旋太赫兹发射器，通过特殊排布两种自旋霍尔角大小相等、方向相反的重金属非磁材料，构建自旋太赫兹菲涅尔波带片，使得产生的自旋太赫兹具有汇聚功能，太赫兹产生效率高，同时提升自旋太赫兹发射器的集成度。
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