公开(公告)号：CN117572540A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311343878.0

申请日：2023-10-17

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 桂丽丽 ,  陈浩 ,  谢海伦 ,  徐坤

IPC: G02B1/00 ,  G01B11/24 ,  B82Y20/00

Abstract: 本发明提供一种用于紫外波段图像边缘检测的纳米单元及超构表面，所述用于紫外波段图像边缘检测的纳米单元包括单元基体和设置在单元基体上的四个缺口；所述缺口设置于所述单元基体的侧面，所述缺口由所述单元基体上表面延伸至下表面，在，所述单元基体的每个侧面形成凹槽，在所述纳米单元的横截面中所述缺口底边长度与单元基体的边长的比值的取值范围为9:1.8～9:2.2。本方案通过加入缺口的方式，可以使两个共振的波长逐渐靠近并向短波长处移动，当缺口边长为35～40nm时，这两个共振近乎在一个波长处，此时形成了一个光谱较宽的一个Mie共振，且不同偏振光的入射下有效地提取出输入信号的边缘信息，具有较好的边缘检测性能，且可以应用在紫外波段当中。

公开(公告)号：CN116224677A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310238034.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 桂丽丽 ,  谢海伦 ,  刘怡雯 ,  林凤斌 ,  徐坤

IPC: G02F1/35 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明提供一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。所述基于Fano共振的硅超构表面包括阵列设置的多个所述基于Fano共振的硅超构表面单元。本方案的每个基于Fano共振的硅超构表面单元均设置有三个基体缺陷，通过构造缺陷，打破硅立方体结构的对称性，诱导亮暗模间的弱耦合，产生尖锐的Fano共振，实现大的局域近场增强，进而极大增强双光子吸收响应。