光学真延时装置及光控波束形成网络系统

    公开(公告)号:CN103580752B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201210278306.4

    申请日:2012-08-07

    IPC分类号: H04B10/2525 H04B10/2575

    摘要: 本发明公开了一种光学真延时(OTTD)装置及光控波束形成网络系统,其中,该OTTD装置包括:上级延时单元,包括第一级光分束器和设置有光纤光栅的N条上级延时线,其中N条上级延时线的每一条被配置成一端从第一级光分束器接收调制后的光载波;以及分别通过光环行器与N条上级延时线的每一条的另一端相对应耦合的N个下级延时单元,其中每个下级延时单元包括第二级光分束器和设置有色散光纤和/或补偿光纤的M条下级延时线,其中M条下级延时线的每一条被配置成一端通过光环行器及第二级光分束器从对应的上级延时线接收光载波;以及其中,M和N为正整数,光载波在相邻两条上级延时线之间的延时差Δτ1i为光载波在相邻两条下级延时线之间的延时差Δτi的M倍。

    光学真延时装置及光控波束形成网络系统

    公开(公告)号:CN103580752A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201210278306.4

    申请日:2012-08-07

    IPC分类号: H04B10/2525 H04B10/2575

    摘要: 本发明公开了一种光学真延时(OTTD)装置及光控波束形成网络系统,其中,该OTTD装置包括:上级延时单元,包括第一级光分束器和设置有光纤光栅的N条上级延时线,其中N条上级延时线的每一条被配置成一端从第一级光分束器接收调制后的光载波;以及分别通过光环行器与N条上级延时线的每一条的另一端相对应耦合的N个下级延时单元,其中每个下级延时单元包括第二级光分束器和设置有色散光纤和/或补偿光纤的M条下级延时线,其中M条下级延时线的每一条被配置成一端通过光环行器及第二级光分束器从对应的上级延时线接收光载波;以及其中,M和N为正整数,光载波在相邻两条上级延时线之间的延时差Δτ1i为光载波在相邻两条下级延时线之间的延时差Δτi的M倍。

    一种带槽银纳米片组装结构的制备方法

    公开(公告)号:CN107377990B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710521644.9

    申请日:2017-06-30

    摘要: 本发明涉及一种富含多尺度缝隙的银纳米片自组装结构的实现方法。首先提供冰水浴环境,烧杯作为反应容器,向烧杯中加入反应试剂,反应5min;通过加入大量的冰水快速终止反应,并通过离心方法将合成的银纳米颗粒从溶液中分离出来。本发明具有耗材经济、制备方法简单的优点,利用该方法合成的纳米颗粒结构可以作为一种高效的拉曼探测基底,对罗丹名6G的探测极限可达10‑13M,而且可以实现对探测分子的快速检测。

    一种集成式表面等离激元逻辑电路

    公开(公告)号:CN106444213A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610647448.1

    申请日:2016-08-09

    IPC分类号: G02F3/00

    CPC分类号: G02F3/00

    摘要: 本发明涉及一种基于表面等离激元的集成式全光逻辑门器件及其逻辑运算方法。其特征在于该器件由输入模块,SPP会聚模块和输出模块构成。其中输入模块是三输入门结构,由三组结构相同且水平等距分布的光栅构成,即输入端口A、控制端口B和输入端口C,当只需使用双输入端门时,控制端口B可以闲置;SPP会聚模块由非近轴条件下的波带片构成;输出模块由输出端和光探测器构成。本发明实现了纯光学的逻辑运算,与现有技术相比本发明集成度高、体积小,信号光损耗低、传输距离远、具有多级级联的潜力,同时本发明覆盖了从近紫外到中红外所有波长的光,包括1.55um通信波长在内。

    一种集成式表面等离激元逻辑电路

    公开(公告)号:CN106444213B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201610647448.1

    申请日:2016-08-09

    IPC分类号: G02F3/00

    摘要: 本发明涉及一种基于表面等离激元的集成式全光逻辑门器件及其逻辑运算方法。其特征在于该器件由输入模块,SPP会聚模块和输出模块构成。其中输入模块是三输入门结构,由三组结构相同且水平等距分布的光栅构成,即输入端口A、控制端口B和输入端口C,当只需使用双输入端门时,控制端口B可以闲置;SPP会聚模块由非近轴条件下的波带片构成;输出模块由输出端和光探测器构成。本发明实现了纯光学的逻辑运算,与现有技术相比本发明集成度高、体积小,信号光损耗低、传输距离远、具有多级级联的潜力,同时本发明覆盖了从近紫外到中红外所有波长的光,包括1.55um通信波长在内。

    用于横向光耦合的吸收边界型激光器

    公开(公告)号:CN102255231B

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201110154880.4

    申请日:2011-06-10

    IPC分类号: H01S3/102

    摘要: 吸收边界型激光器是利用吸收导致的折射率对比所产生的边界来提供反馈,无需额外提供腔镜,即可实现纵向泵浦材料的横向片状激光输出。改变泵浦光束的形状即可改变吸收边界的大小和形状,获得各种类型的横向激光输出。本发明包括:泵浦激光器,与泵浦激光波长对应的吸收增益材料。增益材料要求能强烈吸收泵浦激光并激发新的波长的激光,根据具体情况,如果是液体形态,可以封装于透明容器中,如果是固体材料,可以直接通过镀膜、化学气相沉积、分子束外延等方式直接生长在玻璃、石英或者硅片等通用基底上或者波导边界处。本发明进一步的应用还包括特殊制作的光波导、用于光纤耦合的耦合透镜。

    用于横向光耦合的吸收边界型激光器

    公开(公告)号:CN102255231A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110154880.4

    申请日:2011-06-10

    IPC分类号: H01S3/102

    摘要: 吸收边界型激光器是利用吸收导致的折射率对比所产生的边界来提供反馈,无需额外提供腔镜,即可实现纵向泵浦材料的横向片状激光输出。改变泵浦光束的形状即可改变吸收边界的大小和形状,获得各种类型的横向激光输出。本发明包括:泵浦激光器,与泵浦激光波长对应的吸收增益材料。增益材料要求能强烈吸收泵浦激光并激发新的波长的激光,根据具体情况,如果是液体形态,可以封装于透明容器中,如果是固体材料,可以直接通过镀膜、化学气相沉积、分子束外延等方式直接生长在玻璃、石英或者硅片等通用基底上或者波导边界处。本发明进一步的应用还包括特殊制作的光波导、用于光纤耦合的耦合透镜。

    一种银纳米花周期阵列SERS基底及其制备方法

    公开(公告)号:CN109975270B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201910293719.1

    申请日:2019-04-12

    IPC分类号: G01N21/65

    摘要: 本发明公开一种长程有序、短程无序的银纳米花周期阵列结构SERS基底及其制备方法,制备方法包括周期阵列模板的实现和银纳米花阵列化生长两个关键环节,实现的SERS基底包含硅基底、光刻胶、银纳米花。将光刻胶旋涂于所述硅基底上,利用双光束干涉方法曝光,经显影、定影后形成硅和光刻胶交替的亚微米级模板结构,然后将光刻胶模板固定于合成银纳米花的反应溶液中,利用基底与光刻胶的亲疏水性不同,银纳米花将在亲水性更好的光刻胶表面合成,最后形成长程有序、短程无序的银纳米花周期阵列结构,所述的银纳米花周期阵列结构用作SERS基底,具有低成本、高探测灵敏度、高空间均匀性和时间稳定性。