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公开(公告)号:CN117779183A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202311519665.9
申请日:2023-11-15
申请人: 北京镓和半导体有限公司
摘要: 本发明公开了一种气体流量控制的超声辅助雾相输运化学气相设备和方法,包括超声雾化装置、镓源收容装置和反应腔室,所述反应腔室内有气体流量控制装置,所述气体流量控制装置包括提供准负压的气泵、控制气流流量的气流时控系统和数据采集系统,所述镓源收容装置雾化装置设置有洁净空气流入口,所述气泵外有废气吸收收容装置,各区域间由气流导管连接,所述气流时控系统通过控制气泵吸气间隔和吸气时间调节气体的流量。本发明实现氧化镓薄膜生长环境中气体流量的精确控制,提高生长速率和前驱物的利用率,氧化镓薄膜均匀度更好,纯度更高。所生长的氧化镓薄膜为制备过高质量的射频器件、功率器件与存储器件和相应电路的设计与性能优化提供支持。