公开(公告)号：CN104347730A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310317313.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

Inventor： 姬亚东 ,  陈闽 ,  方绍明 ,  陈志聪

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及制作方法，包括N型衬底、位于所述N型衬底表面上的外延层，所述外延层包括凹槽；覆盖所述凹槽表面的金属层；覆盖除所述凹槽之外的所述外延层表面的绝缘层；位于所述外延层表面内，且包围所述凹槽的第一P型阱区，所述第一P型阱区隔离所述金属层和所述外延层；其中，所述第一P型阱区和所述金属层的接触区域形成欧姆接触。通过本发明提供的半导体器件及制造方法，能够有效减小器件的反向漏电流。