体导电微通道板及其制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117012595A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311071318.4

    申请日:2023-08-24

    IPC分类号: H01J9/12 H01J43/24

    摘要: 本发明公开一种体导电微通道板及其制备方法,包括:在易腐蚀去除的基底或者芯片上,采用化学气相沉积方法制备氢化非晶硅厚膜层,然后在氢化非晶硅厚膜层通过光刻、Bosch深硅刻蚀工艺加工出所需长径比的微孔阵列。在芯片上可直接使用氢化非晶硅盲孔阵列,在易腐蚀基底上使用酸碱等溶液处理将基底腐蚀掉,形成通道贯穿的氢化非晶硅微孔阵列。然后通过原子层沉积技术在微孔阵列的通道内壁制备二次电子发射层,获得体导电微通道板。通过本发明既可以制作出作为分立元件的体导电微通道板,应用于传统MCP的应用领域,还可以通过与芯片集成的方式应用于芯片探测器领域,实现与芯片的集成,提升芯片探测器的位置分辨、时间响应性能。

    抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法

    公开(公告)号:CN115692140B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202211368592.3

    申请日:2022-11-03

    IPC分类号: H01J31/50 H01J43/24

    摘要: 本发明提供一种抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法,在微通道板制备过程中,使用耐高温的微通道阵列基片,置于高真空环境的原子层沉积设备;在原子层沉积设备中保持高真空环境,原位完成对微通道阵列基片的高温烘烤、制备金属绝缘体复合膜层与制备二次电子发射层的工艺过程,制备得到最终的微通道板。本发明在耐高温烘烤的微通道阵列基底上,原位完成高真空高温烘烤、金属绝缘体复合膜层与高二次电子发射层的制备,制备出含气量、放气量极低的微通道板,抑制其在应用到像增强器时的像增强器雪花点噪声。

    抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法

    公开(公告)号:CN115692140A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211368592.3

    申请日:2022-11-03

    IPC分类号: H01J31/50 H01J43/24

    摘要: 本发明提供一种抑制微光像增强器雪花点噪声的微通道板及其制备方法,在微通道板制备过程中,使用耐高温的微通道阵列基片,置于高真空环境的原子层沉积设备;在原子层沉积设备中保持高真空环境,原位完成对微通道阵列基片的高温烘烤、制备金属绝缘体复合膜层与制备二次电子发射层的工艺过程,制备得到最终的微通道板。本发明在耐高温烘烤的微通道阵列基底上,原位完成高真空高温烘烤、金属绝缘体复合膜层与高二次电子发射层的制备,制备出含气量、放气量极低的微通道板,抑制其在应用到像增强器时的像增强器雪花点噪声。

    用于MPOS屏段生产的复丝排屏、熔压装置以及方法

    公开(公告)号:CN113429126B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202110723444.8

    申请日:2021-06-28

    IPC分类号: C03B37/15

    摘要: 本发明涉及超精密玻璃加工技术领域,具体而言涉及用于MPOS屏段生产的复丝排屏、熔压装置以及方法,包括:下模,具有一个底面以及与底面相对分布具有一定径向长度内凹的圆弧面,使复丝沿着圆弧面可排列出扇形外形的复丝屏;内、外靠条,被设置在圆弧面轴向方向的两端,均具有一个水平接触面和竖直接触面;基准座,设有基准槽,具有一个上端面和两个相对分布的侧面,所述基准座上设有能延伸至侧面内侧的螺钉;其中,所述下模的底面与外靠条的水平接触面与所述基准槽上端面贴合;实现使用方法简单可操作的方案使复丝进行对称排列,通过排屏排列出对称性较高屏段,同时在熔压过程中均匀的对复丝复丝屏加压,可极大的提高MPOS的角分辨率。

    适用于空间X射线探测用的环形微孔光学镜片的光学装配装置与方法

    公开(公告)号:CN113376785B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202110723443.3

    申请日:2021-06-28

    IPC分类号: G02B7/00 G02B7/02

    摘要: 本发明提供一种适用于空间X射线探测用的环形微孔光学镜片的光学装配装置与方法,其中光学装配装置包括:底板,在平面方向设置有N个等分圆周的第一镂空区;N个支撑架,为扇形形状;每个支撑架在平面方向设置有N个对应第二镂空区;在每个支撑架与底板之间设置的标准球;在每个支撑架与底板之间设置的缓冲调节部,实现支撑架与底板之间的相对松紧度以及相对位置的调节;在每个支撑架与底板之间设置的姿态调节部,能够通过从支撑架方向的调节,实现支撑架与底板之间的姿态调节;设置在每个支撑架上方的上盖。通过六片MPOS镜片的组合实现组件的装配,六片镜片在同一圆弧上且六片镜片均可独立调节,实现镜头组件装配的调节,达到理想的效果。

    采用硅微通道板基底自约束防氧化变形的方法

    公开(公告)号:CN117524830A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311472642.7

    申请日:2023-11-07

    IPC分类号: H01J43/24 H01J9/12 B81C1/00

    摘要: 本发明涉及微通道板技术领域,具体提出一种采用硅微通道板基底自约束防氧化变形的方法,所述方法应用于基于光电化学腐蚀制备硅微通道板的工艺中,所述方法包括:在对硅基片进行在光电化学腐蚀工序,形成微孔通道结构,在该工序中,在微孔通道结构的硅基片背面保留一定厚度的实体硅;将微孔通道结构的硅基片进行高温全氧化处理,将微孔通道结构以及背面实体硅的表面均形成氧化硅层;在微孔通道结构中进行蜡填充,形成蜡支撑体;对硅基片背面保留的实体硅进行抛光减薄工艺,去除实体硅,形成通孔结构;最后去除微孔通道结构中填充的蜡支撑体。通过本发明可抵消氧化过程中微通道部分向上的应力,有效抑制微通道板高温氧化过程发送的板面变形。

    基于微通道毛细作用调控MPC输入面扩口深度和结构的方法

    公开(公告)号:CN117038415A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311012213.1

    申请日:2023-08-11

    摘要: 本发明提供一种基于微通道毛细作用调控MPC输入面扩口深度和结构的方法,在常规MCP的抛光工序后进行预腐蚀,将MCP实芯料通道腐蚀一定的深度,利用腐蚀后通道内的空气柱压力控制后续腐蚀酸溶液上升的高度发生反应,控制MCP扩口深度;当需要调控扩口深度时,可通过调控通道的深度进行调控;当需要调控扩口结构时,给予工件平面向下的压力,使酸溶液在通道上升至所需高度,再将工件向上提拉直至酸溶液在通道内的高度恢复至毛细压力平衡时的状态,从而形成具有阶梯结构的扩口。本发明的方法可扩大输入面孔径,有效增加MCP对于输入信号的探测效率;同时可以调控扩口的深度和结构,避免扩口失效的问题,且避免腐蚀溶液与整个通道反应,保证MCP的性能。

    气体储存用玻璃毛细管阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN116535087A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310479874.9

    申请日:2023-04-28

    摘要: 本发明提供一种气体储存用玻璃毛细管阵列及其制备方法,包括以下步骤:选取耐压玻璃材料制备成内外表面光滑的玻璃管,并拉制切割成玻璃单管;将玻璃单管排列捆扎后在抽气状态下进行拉制切割,得到多个玻璃多管阵列;将玻璃多管阵列逐排排入排屏模具中,形成紧密排列的屏段;将排列好的屏段放入真空熔压系统中,在预设温度和真空环境下加压,使得屏段中所有的多管融压成一体;将熔压好的屏段悬挂固定,一端缓慢放入拉丝炉的有效温区,屏段在所需温度内进行保温,使屏段一端熔为一体,多管结构实现密闭;缓慢降温对屏段进行退火,得到所需的玻璃毛细管阵列。本发明的方法有效提高玻璃毛细管的整体耐压性能,消除其他密闭材料带来的环境限制。

    像增强器闪烁噪声量化评测方法与测试系统

    公开(公告)号:CN116124418A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211356932.0

    申请日:2022-11-01

    IPC分类号: G01M11/02 H04N25/71 H04N25/76

    摘要: 本发明提供一种像增强器闪烁噪声量化评测系统与测试方法,包括测试暗箱、光源、遮光板、待测试像增强器、相机、光源控制器、像增强器控制器、总控制器以及计算机系统;待测试像增强器沿着其光学中心轴线方向、竖直地安装在光源与相机之间;光源发出的光束通过两个遮光板之间的间隔而投射到待测试像增强器的阴极面上;相机用于对待测试像增强器的闪烁噪声事件进行成像输出;计算机系统与相机连接,接收相机输出的图像并基于图像中的闪烁噪声点进行分析评测,量化评测闪烁噪声频率以及等效输入电子数量。通过本发明的实施可实现微光像增强器闪烁噪声的准确量化评测,为微光像增强器闪烁噪声的抑制确立准确的测试评价和噪声量化数据基础。