一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法

    公开(公告)号:CN110631615B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201910783933.5

    申请日:2019-08-23

    IPC分类号: G01D5/353

    摘要: 本发明涉及纳米光子传感器技术领域,公开了一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法,包括如下步骤:(1)设计纳米光子传感器材料结构模型;(2)计算出纳米光子传感器材料结构模型的传感性能;(3)分析接触网金属结构的应力状态,建立接触网金属结构应力状态与纳米光子传感器光谱响应的理论模型;(4)制备纳米光子传感器实验器件,测试纳米光子传感器实验器件与接触网金属结构的应力和应变数据;(5)计算出纳米光子传感器埋入机理数据;(6)验证纳米光子传感器感测功能的有效性和埋入方法的可行性。可以适用于高速铁路接触网的极端环境,且能有效验证纳米光子传感器埋入后的性能情况。

    一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法

    公开(公告)号:CN110631615A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201910783933.5

    申请日:2019-08-23

    IPC分类号: G01D5/353

    摘要: 本发明涉及纳米光子传感器技术领域,公开了一种接触网金属结构环境下的纳米光子传感器性能验证方法,包括如下步骤:(1)设计纳米光子传感器材料结构模型;(2)计算出纳米光子传感器材料结构模型的传感性能;(3)分析接触网金属结构的应力状态,建立接触网金属结构应力状态与纳米光子传感器光谱响应的理论模型;(4)制备纳米光子传感器实验器件,测试纳米光子传感器实验器件与接触网金属结构的应力和应变数据;(5)计算出纳米光子传感器埋入机理数据;(6)验证纳米光子传感器感测功能的有效性和埋入方法的可行性。可以适用于高速铁路接触网的极端环境,且能有效验证纳米光子传感器埋入后的性能情况。