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公开(公告)号：CN101951224B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010281785.6
申请日：2010-09-15
Applicant: 华东师范大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。
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公开(公告)号：CN101964631B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010281784.1
申请日：2010-09-15
Applicant: 华东师范大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电路噪声同时提高转换增益。跨导级电路采取三对跨导并联结构，在增大了跨导级跨导参数的同时也提高了混频器的线性度。从仿真结果看开关级工作在较理想的开关状态。电路还采取了电流注入方式，在开关级的发射极抽取部分电流，使得开关级的电流足够小，有效的降低了电路的热噪声和闪烁噪声。本发明设计工作于1.95GHz，能够应用于个人通信服务和宽带码分多址通信系统中。
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公开(公告)号：CN101951226B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010276619.7
申请日：2010-09-09
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功率输出；以电流镜的形式来提供偏置电流，利用温度负反馈来提高偏置电路的温度稳定性。本发明线性度高，功耗低，温度稳定性好，当输出P1dB压缩点约为18.5dBm。在5.5GHz后仿真S11＜-15dB，S22＜-6.6dB，S21＞16dB。
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公开(公告)号：CN101951230A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010272606.2
申请日：2010-09-03
Applicant: 华东师范大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电路，进一步降低电路的噪声系数。其中共源共栅电路，在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。MOS和HBT偏置电路为共栅管和共源管提供稳定低噪声的偏置。偏置滤波电路滤除偏置上的射频信号稳定了偏置，使噪声系数减到最低。本发明可以广泛应用在GSM850，GSM900，DCS1800，PCS1900，WCDMA等现代无线通信标准中。
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公开(公告)号：CN102082550A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010530879.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护作用，该低噪声放大器正常工作时，功率增益为13分贝，噪声系数为2.6分贝，且功耗为6.5毫瓦输入回波损耗为13分贝。本发明具有的静电防护水平高达0.8～0.9安培，传输线脉冲电流为1.4安培。本发明功耗低，静电防护能力强，噪声、增益和输入输出匹配良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101964631A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010281784.1
申请日：2010-09-15
Applicant: 华东师范大学
IPC: H03D7/12
Abstract: 本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电路噪声同时提高转换增益。跨导级电路采取三对跨导并联结构，在增大了跨导级跨导参数的同时也提高了混频器的线性度。从仿真结果看开关级工作在较理想的开关状态。电路还采取了电流注入方式，在开关级的发射极抽取部分电流，使得开关级的电流足够小，有效的降低了电路的热噪声和闪烁噪声。本发明设计工作于1.95GHz，能够应用于个人通信服务和宽带码分多址通信系统中。
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公开(公告)号：CN102082550B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010530879.2
申请日：2010-11-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护作用，该低噪声放大器正常工作时，功率增益为13分贝，噪声系数为2.6分贝，且功耗为6.5毫瓦输入回波损耗为13分贝。本发明具有的静电防护水平高达0.8～0.9安培，传输线脉冲电流为1.4安培。本发明功耗低，静电防护能力强，噪声、增益和输入输出匹配良好。
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公开(公告)号：CN101944888B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010276627.1
申请日：2010-09-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪声系数。其中共源共栅电路在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。通过控制外接偏压的选择获得3dB步长的可变增益。本发明具有高的可变增益，低噪声，功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN101951226A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010276619.7
申请日：2010-09-09
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功率输出；以电流镜的形式来提供偏置电流，利用温度负反馈来提高偏置电路的温度稳定性。本发明线性度高，功耗低，温度稳定性好，当输出P1dB压缩点约为18.5dBm。在5.5GHz后仿真S11＜-15dB，S22＜-6.6dB，S21＞16dB。
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公开(公告)号：CN101944888A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010276627.1
申请日：2010-09-09
Applicant: 华东师范大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪声系数。其中共源共栅电路在提供高增益的同时增加了电路的反向隔离度，共源放大电路进一步提高了电路的增益。通过控制外接偏压的选择获得3dB步长的可变增益。本发明具有可变增益高，低噪声，功耗低的特点。
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