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公开(公告)号：CN110002768B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201910102894.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 华东师范大学
IPC: C03C17/25 , C01B33/145 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种紧密排布的复合SiO2纳米球阵列结构及仿蛾眼减反结构和制备方法，通过实心、空心SiO2纳米球组装紧密排布的复合纳米球阵列结构，然后在此阵列结构上，组装实心SiO2纳米球，制备出高透过率的SiO2纳米球仿蛾眼减反结构。该减反结构在可见光波段具有高透过率且入射光角度依赖小。SiO2纳米球仿蛾眼减反结构在光伏电池、平板显示器等光电设备中具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN110002768A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910102894.8
申请日：2019-02-01
Applicant: 华东师范大学
IPC: C03C17/25 , C01B33/145 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种紧密排布的复合SiO2纳米球阵列结构及仿蛾眼减反结构和制备方法，通过实心、空心SiO2纳米球组装紧密排布的复合纳米球阵列结构，然后在此阵列结构上，组装实心SiO2纳米球，制备出高透过率的SiO2纳米球仿蛾眼减反结构。该减反结构在可见光波段具有高透过率且入射光角度依赖小。SiO2纳米球仿蛾眼减反结构在光伏电池、平板显示器等光电设备中具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN105800602B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201610125301.6
申请日：2016-03-07
Applicant: 华东师范大学
IPC: C01B32/186 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种铜颗粒远程催化直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，具体是将乙酸铜通过浸渍均匀涂覆在二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化锆、碳化硼或碳化硅耐高温绝缘衬底上，利用化学气相沉积的方法，运用乙酸铜高温生成的铜的纳米颗粒远程辅助原位催化生长石墨烯，制备石墨烯的复合导电材料。通过本发明能生长连续的、大面积的、低缺陷的石墨烯，避免了复杂的转移工序，且石墨烯能沿着基底的结构进行全包覆式生长，实现石墨烯对基底结构的复制，制备的材料能应用到光伏、导电等诸多领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108648883B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810462847.X
申请日：2018-05-15
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01B13/00 , H01B5/14
Abstract: 本发明公开了一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法，其特点是将镀制双层减反结构的SiO2实心纳米球/酸催化SiO2薄膜的基片采用CVD铜颗粒辅助催化气相沉积石墨烯制得透明导电薄膜，其具体制备包括：SiO2溶胶和SiO2实心纳米球溶胶的制备、聚电解质结构层和双层减反结构层的镀制以及双层减反结构层与石墨烯的复合等步骤。本发明与现有技术相比具有折射率逐级变化的双层减反结构，在可见光波段具有较好的减反性能，有效减少基底的反射，提高石墨烯透明导电薄膜的透过率，使用在光伏电池、平板显示器等众多光电设备中具有极大的应用价值和前景。
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公开(公告)号：CN105870260B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610375797.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，涉及材料化学领域。具体通过在基底材料上制备具有纳米结构的减反射结构，并通过铜颗粒远程催化化学气相沉积方法直接在减反结构上可控生长高质量石墨烯，获得减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜。通过此方法制备的新型复合透明导电薄膜，一方面保持了石墨烯本身的高导电性和高光学透过率、且化学性质稳定、柔韧好、导热性好、原料成本低等优势，另一方面通过与减反结构的复合，有效地减少太阳光在导电膜表面的反射损失，实现复合薄膜的高透光性和高导电性，制备的材料可用作太阳能电池窗口电极材料应用到光伏、导电等诸多领域。
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公开(公告)号：CN105870260A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610375797.2
申请日：2016-05-31
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1884 , H01L31/02168
Abstract: 本发明公开了一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，涉及材料化学领域。具体通过在基底材料上制备具有纳米结构的减反射结构，并通过铜颗粒远程催化化学气相沉积方法直接在减反结构上可控生长高质量石墨烯，获得减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜。通过此方法制备的新型复合透明导电薄膜，一方面保持了石墨烯本身的高导电性和高光学透过率、且化学性质稳定、柔韧好、导热性好、原料成本低等优势，另一方面通过与减反结构的复合，有效地减少太阳光在导电膜表面的反射损失，实现复合薄膜的高透光性和高导电性，制备的材料可用作太阳能电池窗口电极材料应用到光伏、导电等诸多领域。
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公开(公告)号：CN105800602A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610125301.6
申请日：2016-03-07
Applicant: 华东师范大学
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C03C17/22 , C03C2217/28
Abstract: 本发明公开了一种铜颗粒远程催化直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，具体是将乙酸铜通过浸渍均匀涂覆在二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、氧化镁、氧化锆、碳化硼或碳化硅耐高温绝缘衬底上，利用化学气相沉积的方法，运用乙酸铜高温生成的铜的纳米颗粒远程辅助原位催化生长石墨烯，制备石墨烯的复合导电材料。通过本发明能生长连续的、大面积的、低缺陷的石墨烯，避免了复杂的转移工序，且石墨烯能沿着基底的结构进行全包覆式生长，实现石墨烯对基底结构的复制，制备的材料能应用到光伏、导电等诸多领域。
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公开(公告)号：CN108648883A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810462847.X
申请日：2018-05-15
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法，其特点是将镀制双层减反结构的SiO2实心纳米球/酸催化SiO2薄膜的基片采用CVD铜颗粒辅助催化气相沉积石墨烯制得透明导电薄膜，其具体制备包括：SiO2溶胶和SiO2实心纳米球溶胶的制备、聚电解质结构层和双层减反结构层的镀制以及双层减反结构层与石墨烯的复合等步骤。本发明与现有技术相比具有折射率逐级变化的双层减反结构，在可见光波段具有较好的减反性能，有效减少基底的反射，提高石墨烯透明导电薄膜的透过率，使用在光伏电池、平板显示器等众多光电设备中具有极大的应用价值和前景。
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