公开(公告)号：CN106374944A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610754921.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张润曦 ,  石春琦 ,  沈天宇

IPC: H04B1/12 ,  H04B1/10

CPC classification number: H03F3/193 ,  H03F1/223 ,  H04B1/126 ,  H04B1/10

Abstract: 本发明公开了一种CMOS全集成Ka波段全射频结构相控阵抗干扰接收前端，其包括：四路结构相同具有独立移相的接收前端链路及一个信号合成器，其每一接收前端链路包括：低噪声放大器LAN、无源移相器PS及增益补偿放大器AMP；通过四路可对信号相位独立调节的接收前端链路，能够在信号合成器输出端口得到指定方向信号，并对旁瓣信号进行衰减，提供较好的抗干扰性能。整个接收前端在26- 29GHz频段内增益20dB，噪声小于6dB，输入输出反射系数小于-10dB，1.8V电压下功耗120mW。

公开(公告)号：CN106374944B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201610754921.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张润曦 ,  石春琦 ,  沈天宇

IPC: H04B1/12 ,  H04B1/10

Abstract: 本发明公开了一种CMOS全集成Ka波段全射频结构相控阵抗干扰接收前端，其包括：四路结构相同具有独立移相的接收前端链路及一个信号合成器，其每一接收前端链路包括：低噪声放大器LAN、无源移相器PS及增益补偿放大器AMP；通过四路可对信号相位独立调节的接收前端链路，能够在信号合成器输出端口得到指定方向信号，并对旁瓣信号进行衰减，提供较好的抗干扰性能。整个接收前端在26‑29GHz频段内增益20dB，噪声小于6dB，输入输出反射系数小于‑10dB，1.8V电压下功耗120mW。