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公开(公告)号：CN115490213B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN115490213A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211049050.X
申请日：2022-08-30
申请人： 华东师范大学 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C01B19/04 , B82Y40/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/054
摘要： 本发明涉及电池负极材料技术领域，公开了一种金属有机骨架衍生的VSe2材料及其制备方法和应用。所述方法包括：将含V元素的金属有机骨架和硒粉在惰性气氛下进行热处理，得到所述VSe2材料；其中，所述金属有机骨架材料和硒粉的质量比为1：2‑15，所述热处理温度为400‑550℃。本发明中提供的金属有机骨架衍生的VSe2材料的制备方法，工艺简单，条件温和，制备得到金属有机骨架衍生的VSe2材料具有优异的电化学性能，适合放大生产。
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公开(公告)号：CN110407251A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910660310.9
申请日：2019-07-22
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： C01G31/00 , H01M4/58 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种V3S4材料的制备方法及应用，其制备方法是先通过溶剂热一步法合成V3S4前驱体，经过冷冻干燥或真空干燥后高温热处理，即获得花状或颗粒状的V3S4。其中，花状V3S4是由纳米薄片自组装而成，其花的尺寸约为1-2µm；小颗粒状的V3S4的尺寸在100~200 nm；大颗粒状的V3S4的尺寸在1µm左右。该方法制备的V3S4材料可用于锂离子电池中。本发明的优点在于：（1）通过本发明提供的方法，首次制备出形貌可控的V3S4材料；（2）本发明制备出的V3S4作为锂离子电池负极电极材料具有较高的充放电比容量、良好的倍率性能；（3）本发明所提供的制备方法工艺简单易行，条件温和，可用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN110407251B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910660310.9
申请日：2019-07-22
申请人： 华东师范大学
IPC分类号： H01M4/58 , C01G31/00 , H01M10/0525 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种V3S4材料的制备方法及应用，其制备方法是先通过溶剂热一步法合成V3S4前驱体，经过冷冻干燥或真空干燥后高温热处理，即获得花状或颗粒状的V3S4。其中，花状V3S4是由纳米薄片自组装而成，其花的尺寸约为1‑2µm；小颗粒状的V3S4的尺寸在100~200 nm；大颗粒状的V3S4的尺寸在1µm左右。该方法制备的V3S4材料可用于锂离子电池中。本发明的优点在于：（1）通过本发明提供的方法，首次制备出形貌可控的V3S4材料；（2）本发明制备出的V3S4作为锂离子电池负极电极材料具有较高的充放电比容量、良好的倍率性能；（3）本发明所提供的制备方法工艺简单易行，条件温和，可用于大规模生产。
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