一种LED漫反射杯的制备方法

    公开(公告)号:CN102280537B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN201110227271.7

    申请日:2011-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种LED漫反射杯的制备方法,步骤为:①在清洗后的硅片上涂覆光刻胶;②对光刻胶进行曝光、显影,得到光刻胶的微槽阵列;③刻蚀硅片形成微槽,得到反射杯体;④去除反射杯体上的光刻胶;⑤将去除光刻胶的反射杯体加热,高温生长纳米线,形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。由于在反射杯内壁上覆盖有用于光线漫反射的纳米结构,反射杯体直接通过刻蚀硅片得到。所以当芯片工作时,光线照射于反射杯的内壁上可以产生多次反射,从而具备均匀的发光效果。反射杯体通过刻蚀硅片直接得到,具有耐热性好、制备简单、易于微型化及适合大批量制备等优点。

    一种葡萄糖传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN102735727A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210189645.5

    申请日:2012-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种葡萄糖传感器的制备方法,步骤包括:(1)碳微纳结构的集成工艺,得到碳微电极结构、集成碳纳米管的碳微纳结构或集成二氧化硅纳米线的碳微纳结构;(2)电化学沉积步骤:将葡萄糖氧化酶被固化在碳微电极结构表面。本发明通过在SU8负胶中混合碳纳米管、金属催化的方法,分别将碳纳米管、氧化硅纳米线集成在碳微电极结构上,制备出集成碳纳米管的碳微纳结构、集成二氧化硅纳米线的碳微纳结构两种微纳集成结构,结合电化学沉积的方法,使得本发明与传统葡萄糖传感器相比在灵敏度上得到数量级的提高。本发明运用于葡萄糖浓度检测器件中,具有较好的性能,较大的电流响应、较高的灵敏度和较宽的检测限。

    一种碳微电极阵列结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102730628A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210186834.7

    申请日:2012-06-08

    Abstract: 本发明属于碳微机电技术领域,为一种碳微电极阵列结构的制备方法。其步骤包括①光刻步骤,得到阵列的碳微结构部分;②沉积金属步骤:在所得到的碳微结构表面沉积一层或多层金属层;③热解步骤:在惰性气体氛围或惰性混合气体氛围环境下,在不同的温度下进行多步热解;通过上述步骤,即可生长得到表面集成碳纳米结构的碳微电极阵列结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合,得到的微纳集成结构拥有较大的比表面积,本发明的方法运用于微机电系统中,具有工艺简便,成本低廉、可控性高、可大批量生长、结构优良等特点,得到的微纳集成结构具有良好的电学性能,故可作为电机,在微型电池、微型电化学传感器等微机领域中会有较广泛的应用。

    一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN103588165B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310617991.3

    申请日:2013-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法,该方法包括如下步骤:(1)清洗硅片,去除表面杂质和氧化层;(2)在硅片上涂覆负性光刻胶,并进行前烘;(3)用PDMS模板作为压印模板,进行压印工艺,得到光刻胶半球阵列结构;(4)用氧等离子体进行刻蚀,得到跨尺度的光刻胶阵列结构;(5)将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解,得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单,便于控制,重复性好,制备的碳电极阵列结构稳定,具有大的比表面积和良好的生物兼容性,可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。

    一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN103588165A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201310617991.3

    申请日:2013-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法,该方法包括如下步骤:(1)清洗硅片,去除表面杂质和氧化层;(2)在硅片上涂覆负性光刻胶,并进行前烘;(3)用PDMS模板作为压印模板,进行压印工艺,得到光刻胶半球阵列结构;(4)用氧等离子体进行刻蚀,得到跨尺度的光刻胶阵列结构;(5)将跨尺度的光刻胶阵列结构进行热解,得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单,便于控制,重复性好,制备的碳电极阵列结构稳定,具有大的比表面积和良好的生物兼容性,可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物芯片和微型传感器等微机电系统领域。

    一种LED漫反射杯的制备方法

    公开(公告)号:CN102280537A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110227271.7

    申请日:2011-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种LED漫反射杯的制备方法,步骤为:①在清洗后的硅片上涂覆光刻胶;②对光刻胶进行曝光、显影,得到光刻胶的微槽阵列;③刻蚀硅片形成微槽,得到反射杯体;④去除反射杯体上的光刻胶;⑤将去除光刻胶的反射杯体加热,高温生长纳米线,形成漫反射膜覆盖在反射杯体上。由于在反射杯内壁上覆盖有用于光线漫反射的纳米结构,反射杯体直接通过刻蚀硅片得到。所以当芯片工作时,光线照射于反射杯的内壁上可以产生多次反射,从而具备均匀的发光效果。反射杯体通过刻蚀硅片直接得到,具有耐热性好、制备简单、易于微型化及适合大批量制备等优点。

    一种碳微电极阵列结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102730628B

    公开(公告)日:2015-03-04

    申请号:CN201210186834.7

    申请日:2012-06-08

    Abstract: 本发明属于碳微机电技术领域,为一种碳微电极阵列结构的制备方法。其步骤包括光刻步骤,得到阵列的碳微结构部分;沉积金属步骤:在所得到的碳微结构表面沉积一层或多层金属层;热解步骤:在惰性气体氛围或惰性混合气体氛围环境下,在不同的温度下进行多步热解;通过上述步骤,即可生长得到表面集成碳纳米结构的碳微电极阵列结构。本发明将厚胶光刻、金属沉积和热解相结合,得到的微纳集成结构拥有较大的比表面积,本发明的方法运用于微机电系统中,具有工艺简便,成本低廉、可控性高、可大批量生长、结构优良等特点,得到的微纳集成结构具有良好的电学性能,故可作为电机,在微型电池、微型电化学传感器等微机领域中会有较广泛的应用。

    一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN102180439B

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201110079747.7

    申请日:2011-03-31

    Abstract: 本发明提供一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜;(3)热解所得沉积薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。本发明的方法工艺简单,成本低廉,所得大表面积结构可以用在微电池,超级电容等方面,极大的改进性能。

    一种集成碳纳米褶皱的三维碳微纳电极阵列结构制备方法

    公开(公告)号:CN102757013A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210191156.3

    申请日:2012-06-11

    Abstract: 本发明提供一种集成碳纳米褶皱的三维碳微纳电极阵列结构的制备方法,包括:光刻步骤,得到带有电极图案的光刻胶微结构;沉积碳膜步骤:在上面得到的光刻胶微结构上沉积一层碳膜;热解步骤:在惰性气体或其混合气体环境下进行多步热解,各步热解温度不同。本发明将碳纳米皱褶和碳微结构结合,通过在微结构表面生成纳米皱褶制造碳微纳集成结构。由于生物兼容的纳米皱褶碳膜的集成可极大地增加碳微纳电极阵列的比表面积,提高酶的生物活性及稳定性。本发明的方法运用于微机电系统中,具有工艺简便、结构牢固、生物兼容性好的特点,制备的碳微结构可作为微电极应用于生物燃料电池、生物芯片、微型电化学传感器等微机电领域中。

    一种表面集成石墨烯的碳微结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN102180439A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110079747.7

    申请日:2011-03-31

    Abstract: 本发明提供一种表面集成石墨烯的碳微结构的制备方法,其步骤包括:(1)图案化有机聚合物微结构;(2)在所得有机聚合物微结构上沉积碳材料层或金属层薄膜;(3)热解所得沉积薄膜结构的有机聚合物,即可获得表面集成石墨烯的碳微结构。本发明的方法工艺简单,成本低廉,所得大表面积结构可以用在微电池,超级电容等方面,极大的改进性能。

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