一种条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备与应用

    公开(公告)号:CN107170849B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201710308855.4

    申请日:2017-05-04

    IPC分类号: H01L31/0352 H01L31/09

    摘要: 本发明公开了一种基于胶体量子点的条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备方法,包括如下步骤:向玻璃板上生长一层硅;旋涂光刻胶;转移条形阵列结构进行显影处理;去胶处理;旋涂量子点;通过电子束蒸发设备蒸镀一层金。本发明利用条形阵列结构对短波红外特定波长的谐振作用,实现对特定波长光的全吸收,通过调节条形阵列结构的几何结构参数来控制光学吸收,实现了特定波长可调,实现可见光到红外光的吸收,且具有偏振相关性,进而胶体量子点材料制成探测器。该制备方法简易,响应迅速,可操作性强,具有广泛的应用前景。

    一种薄膜场效应晶体管型气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108447915A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810174504.3

    申请日:2018-03-02

    摘要: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法,其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管;以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例,该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层,沟道有源层为量子点薄膜,其上方沉积有源电极和漏电极;衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进,以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层,利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应,制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器,达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。

    一种光谱分析芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN108444927A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810200969.1

    申请日:2018-03-12

    IPC分类号: G01N21/31 G01N21/01

    摘要: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法,该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线,其中,光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列;该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步:制备光学天线;制备量子点光敏薄膜;制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合,利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应,对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏,实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元,集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。

    一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN108502927B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201810535204.3

    申请日:2018-05-29

    IPC分类号: C01G29/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将溴化铋与油酸、油胺、1‑十八烯四者混合形成混合物,接着,在持续抽真空的条件下,将该混合物加热至100‑120℃,并维持60‑120min,得到含有溴化铋的混合溶液;(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气,并将温度升至170‑180℃,然后注入油酸铯溶液,反应时间维持5‑60s,即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进,能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题,是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法,并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。

    一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN108502927A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810535204.3

    申请日:2018-05-29

    IPC分类号: C01G29/00 B82Y40/00

    摘要: 本发明公开了一种铯铋溴钙钛矿纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将溴化铋与油酸、油胺、1-十八烯四者混合形成混合物,接着,在持续抽真空的条件下,将该混合物加热至100-120℃,并维持60-120min,得到含有溴化铋的混合溶液;(2)向含有溴化铋的混合溶液充入氮气,并将温度升至170-180℃,然后注入油酸铯溶液,反应时间维持5-60s,即可得到包括Cs3Bi2Br9钙钛矿纳米片在内的反应产物。本发明通过对该制备方法整体的工艺流程设置、关键参数条件进行改进,能够有效解决纳米片制备方法复杂、成本高的问题,是全新溶液法工艺、低成本制备纳米片的方法,并且制备得到的纳米片具有高度结晶性、极好的稳定性、良好的光学特性等特点。

    一种薄膜场效应晶体管型气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108447915B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201810174504.3

    申请日:2018-03-02

    摘要: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法,其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管;以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例,该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层,沟道有源层为量子点薄膜,其上方沉积有源电极和漏电极;衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进,以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层,利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应,制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器,达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。