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公开(公告)号：CN118931525A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410817249.5
申请日：2024-06-24
申请人： 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC分类号： C09K11/02 , H01L31/18 , H01L31/0352 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C09K11/66 , C09K11/56 , C09K11/88 , C09K11/89
摘要： 本发明提出了一种量子点超晶格薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：S1、配制量子点溶液和乙二醇溶液；S2、在干燥磨具中注入乙二醇溶液；S3、在乙二醇液面上均铺撒一层滑石粉，作为缓冲层；S4、将量子点溶液滴加在乙二醇液面上，迅速盖上玻璃盖板，待液面上的薄膜干燥；S5、薄膜干燥后，在模具角落注入乙二胺溶液进行配体交换；S6、配体交换结束后，取出最终获得的薄膜进行干燥。该制备方法在气液界面滴加量子点溶液之前，先在液面上铺撒一层滑石粉作为缓冲层，缓冲层能够有效隔离量子点薄膜与模具之间的相互影响，使薄膜制备过程与模具解耦，能够很好地缓解量子点溶液蒸发组装过程中产生的内应力，提高了最终超晶格薄膜的可重复性和均匀性，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115233284B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210965230.6
申请日：2022-08-12
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种钙钛矿单晶的制备方法，所述方法包括将钙钛矿材料前驱体与有机溶剂以及纯水混合，获取钙钛矿溶液；在所述钙钛矿溶液中加入钙钛矿籽晶；挥发所述钙钛矿溶液，获取所述钙钛矿单晶。通过本申请提供的方法，制备过程中，溶质利用率高，得到的单晶质量高、尺寸大，从而满足工业对钙钛矿单晶质量和尺寸的需求。
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公开(公告)号：CN117979793A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311856782.4
申请日：2023-12-29
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法、X射线面阵探测器。所述方法包括：得到含有功能层的基底；将所述含有功能层的基底固定至热蒸发设备的蒸发腔内的样品台，FABr置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟，PbBr2置于所述蒸发腔内的第二蒸发舟；将所述含有功能层的基底进行加热；将所述第一蒸发舟中的所述FABr粉末熔化及冷却为块状，以防止FABr蒸发过程中发生暴沸；将具有相等摩尔蒸发速率的FABr与PbBr2沉积在所述含有功能层的基底上，后进行退火，得到FAPbBr3层；在所述FAPbBr3层的至少部分表面设置金属电极，得到钙钛矿X射线面阵探测器。
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公开(公告)号：CN117923807A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089627.2
申请日：2024-01-23
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及一种快中子成像材料及其制备方法，所述方法包括：得到(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液；将所述(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液与聚丙烯腈进行混合，得到聚合物前驱体溶液；将所述聚合物前驱体溶液涂覆于基体上，后进行干燥，得到快中子成像材料。本申请内容为快中子成像提供了新的材料，同时提高了现有快中子成像材料的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN117881256A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410040976.5
申请日：2024-01-10
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及复合材料技术领域，尤其涉及一种降低X射线探测器暗电流密度和检测限的方法；所述方法包括：混合有机溶剂和钙钛矿前体材料溶液，对混合物进行静置，得到饱和混合物；于饱和混合物中加入种子层，得到种子混合物；对种子混合物进行静置，后采用苯甲醚溶剂对静置后的所述种子混合物进行溶剂退火，得到钙钛矿材料基底；以及，使钙钛矿材料基底的至少部分表面覆盖金属电极材料，得到X射线探测器件；通过引入溶剂退火的方式，可以在钙钛矿膜上形成相对稳定的热场，减少了缺陷并提升了晶体质量；而这种高质量、高均匀性的厚膜可以使得钙钛矿材料基底产生了更低的暗电流和信噪比。
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公开(公告)号：CN115403065B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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公开(公告)号：CN116005245A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211111873.0
申请日：2022-09-13
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请提供一种(4‑AMP)BiBr5单晶的制备方法，包括如下步骤：提供氢溴酸溶液；向所述氢溴酸溶液中以1：1的摩尔比加入(4‑AMP)Br2和BiBr3，第一预定温度下使(4‑AMP)Br2和BiBr3完全溶解，得到待结晶溶液；将所述待结晶溶液以预定冷却速率降温至第二预定温度，以使得(4‑AMP)BiBr5单晶从所述待结晶溶液中析出；收集(4‑AMP)BiBr5单晶。本申请可通过较简单的步骤得到高纯度、结构规整的(4‑AMP)BiBr5单晶。
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公开(公告)号：CN115988936A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211723721.6
申请日：2022-12-30
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及一种X射线探测器及其功能单元和制备方法，属于半导体光电探测器技术领域；对电路基底的表面进行改性，以使钙钛矿在电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底；在电路基底改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元；通过降低钙钛矿在电路基底表面的成核势垒并使之小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，实现钙钛矿在电路基底上的异质成核和生长，进而通过直接在电路基体上直接原位生长钙钛矿晶体，避免了采用键合工艺来实现钙钛矿晶体的附着，进而避免了使用昂贵的键合机和ACF胶，克服了ACF胶内部的导电金属颗粒可能分布不均匀，存在产生坏点和不同像素和晶体的界面导电性不均一的问题。
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公开(公告)号：CN115867101A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211695417.5
申请日：2022-12-28
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种RP型MAPbI3准二维钙钛矿厚膜及X射线探测器的制备方法。本发明提供的准二维膜层厚度达百微米以上，结构是一种梯度n值分布的结构，表面趋于三维结构，底面趋于二维结构，梯度结构降低了载流子的跃迁势垒，提升了载流子的收集效率。同时，准二维结构可以钝化体表处的晶界缺陷，从而获得更低的缺陷态密度。准二维结构能够显著抑制器件的离子迁移过程，因此器件获得了更高的工作稳定性。最终，准二维结构的X射线探测器的灵敏度更高、检测限更低，较三维结构具有明显优势。
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公开(公告)号：CN115558994A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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