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公开(公告)号：CN118374887A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410525271.2
申请日：2024-04-29
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及卤素钙钛矿单晶材料技术领域，尤其涉及一种钝化卤素钙钛矿单晶表面缺陷的方法；所述方法包括：在气态卤素的气氛中对卤素钙钛矿单晶材料进行退火，以实现卤素钙钛矿单晶材料的钝化，得到钝化后的单晶材料；其中，气态卤素与卤素钙钛矿单晶材料中含有同一种卤族元素；通过将卤素钙钛矿单晶材料在其对应的气态卤素的气氛中进行退火处理，此时气态卤素中的卤素原子会与卤素钙钛矿单晶材料表面的卤素空位缺陷进行结合，实现对卤素钙钛矿单晶材料表面的钝化，因此通过气态卤素可以对卤素钙钛矿单晶材料表面卤素空位缺陷的精准钝化，以此克服现有技术中有机长链铵盐无法针对性的钝化卤素钙钛矿表面的卤素空位缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN115558994B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211121809.0
申请日：2022-09-15
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种卤化物的提纯方法，属于卤化物提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯卤化物进行定向凝固，得到高纯卤化物；其中，所述高纯卤化物的纯度≥7N；在所述定向凝固中，待提纯卤化物的恒定移动速率为3～5mm/h。该提纯方法采用定向凝固技术，控制待提纯卤化物的移动速率为3～5mm/h，因为过快的待提纯卤化物移动速度会导致杂质分凝效果变差，过慢的待提纯卤化物移动速度会降低生产效率。因此，在保证较好杂质分凝效果、顺利去除卤化物内杂质，制得纯度≥7N的高纯卤化物；同时提高生产效率，满足了大批量高纯卤化物的快速制备需求。
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公开(公告)号：CN116178014B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310127476.0
申请日：2023-02-14
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要： 本发明公开了一种钙钛矿闪烁体陶瓷的制备方法。本发明通过真空烧结得到闪烁体粉末，闪烁体粉末经干压成型后依次经过温等静压和高温高压反应釜处理，得到透明的钙钛矿闪烁体陶瓷。高温高压反应釜通过调节温度、压强、保压时间等参数，可以得到在发射波长下透过率大于15％的CsCuX(X＝Cl、Br、I)卤化物闪烁体陶瓷，降低陶瓷的孔隙率即增大陶瓷的致密度，可以有效降低陶瓷的光散射和光串扰问题，提高X射线探测成像的空间分辨率。本发明利用高温高压反应釜提供大于300℃的高温、高压环境促进钙钛矿闪烁体素坯的晶粒加速流动、重排与致密化，有效解决了现有技术中需要长时间高温、制备周期长的技术问题。
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公开(公告)号：CN115467025B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211119141.6
申请日：2022-09-13
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请提供一种快中子直接探测材料的制备方法，包括如下步骤：提供溶剂，将(3‑AMP)Br2、PbBr2、MABr加入所述溶剂形成溶液，使所述溶液中的溶质具有预定化学组成，所述预定化学组成与待制备的快中子直接探测材料的化学组成相同；对所述溶液在预定温度下和预定时间内蒸发除去溶剂，得到所述快中子直接探测材料。本申请可增加钙钛矿/有机阳离子复合探测材料的载流子传输性能。
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公开(公告)号：CN118048690A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410102045.3
申请日：2024-01-25
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请涉及一种锑基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述锑基钙钛矿单晶的化学式为(C10H26N2)SbCl5，所述锑基钙钛矿单晶的晶体结构由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[SbCl6]3‑组成，晶体中(C10H26N2)2+与[SbCl6]3‑之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，Sb3+离子与6个Cl‑离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1D链状结构，(C10H26N2)2+阳离子组成的棱形柱状笼包裹着[SbCl6]3‑链。本申请内容选用Sb作为铅的替代元素，除具有低毒和环境友好的特点，同时为现有X射线探测器提供了新的材料。
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公开(公告)号：CN117984163A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311796293.4
申请日：2023-12-25
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本发明提供了一种减小钙钛矿单晶表面漏电流的方法、钙钛矿单晶、探测器，属于钙钛矿表面处理领域。所述方法包括：在打磨抛光液中添加钝化剂，得到混合液；使用所述混合液对钙钛矿单晶打磨；使用抛光垫、所述混合液以及抛光颗粒对打磨后的所述钙钛矿单晶进行抛光，得到表面钝化的钙钛矿单晶。通过在打磨抛光液中直接加入钝化剂的钝化方式，可直接实现原位缺陷钝化，且钝化剂分布更均匀，钝化效果更显著，暗电流密度与高压稳定性更好。同时将两步钝化工艺简化为一步钝化工艺，操作更简单。从而在保证钙钛矿单晶表面钝化工艺简单的基础上提高钝化效果。
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公开(公告)号：CN115196656B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211031605.8
申请日：2022-08-26
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C01D17/00
摘要： 本发明提供了一种CsBr的提纯方法，属于CsBr提纯技术领域，所述提纯方法包括：将待提纯的CsBr进行重结晶，得到重结晶后的CsBr；将重结晶后的所述CsBr进行定向凝固，得到定向凝固后的CsBr；将定向凝固后的所述CsBr进行区域熔融，得到高纯CsBr；所述高纯CsBr的纯度≥8N。该提纯方法结合重结晶技术、定向凝固技术和区域熔融技术，通过上述三种技术协同配合，可有效除去低纯CsBr中Cs2O、CsOH等杂相污染，大幅提升CsBr纯度，制备出可用于高结晶质量单晶生长的高纯CsBr。
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公开(公告)号：CN116024527A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310127470.3
申请日：2023-02-14
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/26 , C30B28/12 , C30B29/12 , C30B29/64 , G01T1/202 , C30B28/02 , C23C14/02
摘要： 本发明公开了一种制备一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体膜的方法。本发明利用具有一维晶体结构的铜基卤化物闪烁体材料(CsCu2I3、Cs5Cu3Cl6I2)，在柔性衬底上制备了柱状晶结构的闪烁体厚膜，一维结构的柱状晶铜基卤化物闪烁体厚膜从根本上解决了多晶晶界产生缺陷的问题。并且利用近空间升华法蒸发，由于蒸发源和衬底的距离很近(几毫米)，蒸发速度可以很快(30‑50μm/min)，从而能够快速制备百微米级的闪烁体厚膜，不仅提升了制备效率，而且大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN115992347A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310109293.6
申请日：2023-02-14
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/30 , C23C16/52 , G01T1/202 , C30B28/14 , C30B29/46 , C30B29/64 , C30B25/00
摘要： 本发明公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI3和In2Se3，通过称量蒸发前后基底的质量，进而计算出沉积到基底上的InI3和In2Se3的质量，进而标定InI3和In2Se3的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发，得到致密的InSeI膜，并制备X射线探测器，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN115403065A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211044612.1
申请日：2022-08-30
申请人： 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
摘要： 本申请实施例提供一种铯铜卤晶体的制备方法，包括如下步骤：提供化学式为CsX和CuX的化合物，混合均匀得到反应物，其中X为Cl、Br、I中的至少一种；将所述反应物置于预定真空度下并加热至预定温度，同时使所述反应物进行预定时间的内部运动，得到熔体；在预定冷却速率下冷却所述熔体，得到所述铯铜卤晶体。本申请实施例提供的铯铜卤晶体的制备方法，整个制备过程十分简单，且得到的产物具有很高的纯度。
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