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公开(公告)号:CN1392535A
公开(公告)日:2003-01-22
申请号:CN02138727.3
申请日:2002-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜,包括底层和磁性层,磁性层为:轻稀土元素7%-18%;重稀土元素:19%-28%;过渡金属:53%-74%;底层材料为Cr、Ti、Mo或W。上述磁性层上可设有防止磁性层氧化的顶层,其材料为SiO2、SiN、AlNSi或AlN。采用X射线衍射测量装置分析SiO2/SmTbCo/Cr/glass sub垂直磁化膜的样品结构时,没有发现稀土与过渡族元素(SmTbCo)的结晶相,表明该类膜是非晶膜。通过对样品的磁性能、磁光特性、磁各向异性常数和样品的组分的检测与分析,可知该膜具有较高的磁各向异性,Ku值高于4.5×106erg/cm3,这种膜具有的良好的热稳定性。由于有较大的磁滞回线矩形度,又是非晶膜,其热噪声很低。
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公开(公告)号:CN1305033C
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN02138727.3
申请日:2002-06-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜,包括底层和磁性层,磁性层为:轻稀土元素7.28%-17.85%;重稀土元素:18.15%-28.72%;过渡金属:54%-69%;底层材料为Cr、Ti、Mo或W。上述磁性层上可设有防止磁性层氧化的顶层,其材料为SiO2、SiN、AlNSi或AlN。采用X射线衍射测量装置分析SiO2/SmTbCo/Cr/glass sub垂直磁化膜的样品结构时,没有发现稀土与过渡族元素(SmTbCo)的结晶相,表明该类膜是非晶膜。通过对样品的磁性能、磁光特性、磁各向异性常数和样品的组分的检测与分析,可知该膜具有较高的磁各向异性,Ku值高于4.5×106erg/cm3,这种膜具有的良好的热稳定性。由于有较大的磁滞回线矩形度,又是非晶膜,其热噪声很低。
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公开(公告)号:CN1225729C
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN03128025.0
申请日:2003-05-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜,读出层的元素组成为:轻稀土元素12%-18%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小,而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大,采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构,在溅射制膜的过程中,调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例,可以获得饱和磁化强度Ms大,磁各向异性常数Ku以及矫顽力Hc都比较高的磁化膜,能满足光磁混合记录介质所需的大的剩余磁化强度和高的热稳定性的要求。
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公开(公告)号:CN1453768A
公开(公告)日:2003-11-05
申请号:CN03128025.0
申请日:2003-05-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明公开了一种可用于高密度光磁混合磁记录的垂直磁化膜,包括底层、磁性层和顶层,所述磁性层为由读出层和写入层构成的双层耦合膜,读出层的元素组成为:轻稀土元素12%-18%;重稀土元素:8%-15%;过渡金属元素:68%-80%;写入层的元素组成为:轻稀土元素:7%-17%;重稀土元素:25%-33%;过渡金属元素:50%-68%。由于重稀土元素的饱和磁化强度Ms较小,而轻稀土元素以及过渡金属元素的Ms较大,采用溅射法制备出的这种结构的垂直磁化膜为亚铁磁结构,在溅射制膜的过程中,调节轻重稀土元素的比例、稀土元素与过渡金属元素的比例,可以获得饱和磁化强度Ms大,磁各向异性常数Ku以及矫顽力Ho都比较高的磁化膜,能满足光磁混合记录介质所需的大的剩余磁化强度和高的热稳定性的要求。
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