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公开(公告)号:CN104950392A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510413952.0
申请日:2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明是一种硅基芯片集成的大工艺容差的偏振旋转器件,包括入射波导部分、对称性打破部分以及出射波导部分,对称性打破部分的包层被部分刻蚀。包层的部分刻蚀为平行于波导上表面的长方体形凹槽,凹槽位于对称性打破部分的波导侧上方的包层内,其长度满足包层刻蚀后的两本征模式之间具有180度的位相差,长方体形凹槽的宽度需大于等于0.9微米,长方体凹槽从包层的顶部开始刻蚀,长方体形凹槽的最底面距离波导上表面的垂直间距,等于长方体形凹槽与波导之间的水平间距,垂直间距、水平间距的值均为0~0.2微米。本发明的优点在于,对称性打破部分是在包层上的部分刻蚀实现,由于包层的尺寸在微米量级,因此套刻精度带来的误差相对很小,工艺容差非常大。
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公开(公告)号:CN105549145A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610079196.7
申请日:2016-02-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3025
Abstract: 本发明涉及一种芯片集成的多角度透光轴的起偏器,包括入射波导部分、偏振选择性损耗部分以及出射波导部分,偏振选择性损耗部分由对称性打破部分与损耗部分组成。入射偏振态光首先经过入射波导部分输入,以本征模式的形式传播。进入偏振选择性损耗部分,由于波导结构的纵向对称性被打破,其本征模式的光轴会发生旋转,光轴旋转的角度可控。如果选择性对其中一个本征模式引入较大损耗,当偏振选择性损耗部分的长度选的足够长时,这一本征模式被完全损耗掉,从而过滤出特定偏振角度的偏振光。最后由出射波导部分耦合输出。本发明首次提出了多角度透光轴的芯片集成起偏器结构。
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公开(公告)号:CN105549145B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201610079196.7
申请日:2016-02-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明涉及一种芯片集成的多角度透光轴的起偏器,包括入射波导部分、偏振选择性损耗部分以及出射波导部分,偏振选择性损耗部分由对称性打破部分与损耗部分组成。入射偏振态光首先经过入射波导部分输入,以本征模式的形式传播。进入偏振选择性损耗部分,由于波导结构的纵向对称性被打破,其本征模式的光轴会发生旋转,光轴旋转的角度可控。如果选择性对其中一个本征模式引入较大损耗,当偏振选择性损耗部分的长度选的足够长时,这一本征模式被完全损耗掉,从而过滤出特定偏振角度的偏振光。最后由出射波导部分耦合输出。本发明首次提出了多角度透光轴的芯片集成起偏器结构。
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公开(公告)号:CN104950392B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201510413952.0
申请日:2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明是一种硅基芯片集成的大工艺容差的偏振旋转器件,包括入射波导部分、对称性打破部分以及出射波导部分,对称性打破部分的包层被部分刻蚀。包层的部分刻蚀为平行于波导上表面的长方体形凹槽,凹槽位于对称性打破部分的波导侧上方的包层内,其长度满足包层刻蚀后的两本征模式之间具有180度的位相差,长方体形凹槽的宽度需大于等于0.9微米,长方体凹槽从包层的顶部开始刻蚀,长方体形凹槽的最底面距离波导上表面的垂直间距,等于长方体形凹槽与波导之间的水平间距,垂直间距、水平间距的值均为0~0.2微米。本发明的优点在于,对称性打破部分是在包层上的部分刻蚀实现,由于包层的尺寸在微米量级,因此套刻精度带来的误差相对很小,工艺容差非常大。
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公开(公告)号:CN103149633A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201310062530.4
申请日:2013-02-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明一种结构紧凑的用于双偏振态信号处理集成芯片,包括一个二维光子晶体光栅和一个信号处理器件,所述二维光子晶体光栅与信号处理器件通过波导组成环形回路。通过二维光子晶体光栅,将光纤中的x和y偏振态的光耦合进集成波导中,耦合进波导中的两个偏振态的光都是以同一模式(均为TE模式或均为TM模式)在波导中进行传输,但是分别沿顺时针和逆时针传输并通过同一个信号处理器件进行处理,最后再通过输入的二维光子晶体光栅耦合输出。本发明只用到了一个耦合光栅和一个信号处理器件,这样就大大的减小了器件的尺寸以及工艺的复杂程度。
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