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发明公开
一种硅和钽铌酸钾混合集成电光相位调制器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118426208A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410700414.9

申请日：2024-05-31

申请人： 华中科技大学

发明人： 曾成 , 邓淼 , 夏金松

IPC分类号： G02F1/03 , G02F1/00 , G02F1/035

摘要： 本发明属于光学调制器领域，公开了一种硅和钽铌酸钾混合集成电光相位调制器及其制备方法。电光相位调制器包括：钽铌酸钾衬底层、设置在钽铌酸钾衬底层上的硅波导层和电极组件、以及设置在最上层的波导包层；电极组件设置在硅波导层的两侧，且与硅波导层的传输方向平行；钽铌酸钾衬底层中的钽铌酸钾的化学式为KTa1‑xNbxO3，x的取值大于0，且小于1；钽铌酸钾在居里温度至高于居里温度5度之间的有效二次电光系数为1×10‑15～6.94×10‑14m2/V2。本发明通过引入高折射率的硅条形波导与钽铌酸钾衬底构建在通讯波段强限制单模波导，克服了钽铌酸钾未能实现薄膜化和半导体微纳制造兼容的问题，同时利用钽铌酸钾的二次电光系数实现高效率调制，有效降低调制长度到微米量级。