存储系统中存储设备的管理方法及装置

    公开(公告)号:CN110199512A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201780002717.1

    申请日:2017-12-26

    发明人: 罗旦 刘玉 张巍 冒伟

    IPC分类号: H04L29/08

    摘要: 本方案公开了一种存储系统中存储设备的管理方法,客户端可以根据获取访问请求指向的NVMe存储设备的队列的起始地址以及访问请求指向的NVMe存储设备的逻辑地址,向NVMe存储设备所在的存储节点发送远程直接内存访问命令,从而充分发挥了NVMe存储设备的性能,提高了存储系统的写性能。

    存储系统中存储设备的管理方法及装置

    公开(公告)号:CN110199512B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201780002717.1

    申请日:2017-12-26

    发明人: 罗旦 刘玉 张巍 冒伟

    IPC分类号: H04L29/08

    摘要: 本方案公开了一种存储系统中存储设备的管理方法,客户端可以根据获取访问请求指向的NVMe存储设备的队列的起始地址以及访问请求指向的NVMe存储设备的逻辑地址,向NVMe存储设备所在的存储节点发送远程直接内存访问命令,从而充分发挥了NVMe存储设备的性能,提高了存储系统的写性能。

    存储系统中存储设备的管理方法及装置

    公开(公告)号:CN110199270B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN201780002716.7

    申请日:2017-12-26

    发明人: 罗旦 刘玉 张巍 冒伟

    IPC分类号: G06F15/177 G06F3/06

    摘要: 本方案公开了一种存储系统存储设备的管理方法,客户端可以根据获取访问请求指向的NVMe存储设备的队列的起始地址以及访问请求指向的NVMe存储设备的逻辑地址,向NVMe存储设备所在的存储节点发送远程直接内存访问命令,从而充分发挥了NVMe存储设备的性能,提高了存储系统的写性能。

    存储系统中存储设备的管理方法及装置

    公开(公告)号:CN110199270A

    公开(公告)日:2019-09-03

    申请号:CN201780002716.7

    申请日:2017-12-26

    发明人: 罗旦 刘玉 张巍 冒伟

    IPC分类号: G06F15/177 H04L29/08

    摘要: 本方案公开了一种存储系统存储设备的管理方法,客户端可以根据获取访问请求指向的NVMe存储设备的队列的起始地址以及访问请求指向的NVMe存储设备的逻辑地址,向NVMe存储设备所在的存储节点发送远程直接内存访问命令,从而充分发挥了NVMe存储设备的性能,提高了存储系统的写性能。

    一种使用网络设备进行数据查询的系统、方法、及装置

    公开(公告)号:CN114756730A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202011588814.3

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本申请提供一种使用网络设备进行数据查询的系统、方法、及装置。所述系统的中心节点通过网络设备连接至工作节点。所述网络设备例如为网卡、交换机、路由器等。中心节点将用户输入的查询请求生成多个任务。在为所述多个任务分配执行设备的时候,中心节点会将一些任务的执行设备配置为网络设备,一些任务的执行设备配置为工作节点,然后发送配置指令至所配置的网络设备及工作节点,以在网络设备及工作节点上设置为其配置的任务。配置完成后,由于工作节点与中心节点之间传输的数据都要经过网络设备,所以网络设备会对经过的数据执行所设置的任务,从而以减少工作节点的运算量,减轻工作节点上处理器的负担并加速数据处理。

    多层单元存储器的访问方法及装置、计算设备、存储介质

    公开(公告)号:CN112988035A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201911280549.X

    申请日:2019-12-13

    发明人: 李铮 冒伟

    IPC分类号: G06F3/06

    摘要: 本申请公开了一种多层单元存储器的访问方法,属于存储技术领域。该方法包括:当原始待写入数据是预设类型的数据时,将原始待写入数据转换为不包括预设的N位二进制数组合的目标待写入数据,预设的N位二进制数组合是N位二进制数的所有组合中写入速度慢的组合,其中多层单元存储器的一个存储单元可同时写入N位二进制数,N为大于1的整数;将目标待写入数据写入多层单元存储器中。本申请减小了写入数据所耗费的时长,提高了多层单元存储器的整体写入速度。