宽光谱均匀焦平面Fresnel透镜的设计方法

    公开(公告)号:CN103715289B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201310718065.5

    申请日:2013-12-23

    CPC classification number: Y02E10/52

    Abstract: 本发明属于太阳能高倍聚光镜领域,针对传统Fresnel透镜中存在的聚焦光斑不均匀,在300~1800nm宽光谱范围内的聚光效果不理想的问题,提出了一种宽光谱均匀焦平面Fresnel透镜的设计方法。具体步骤为:根据GaInP/GaInAs/Ge三结聚光电池的光谱响应特性曲线得到各子电池光谱响应的中心波段,再从等齿宽且轴对称的透镜中心锯齿旁的第一个锯齿开始,每三个相邻的锯齿为一组,依次取波长,共计k组,然后由各单齿的设计波长,结合透镜材料的折射率色散数据和平面Fresnel透镜的设计公式,从而得到各单齿的具体结构。本发明有效降低透镜色散影响,有利于实现300~1800nm宽光谱范围内均匀聚光。

    一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法

    公开(公告)号:CN104362976B

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201410546505.8

    申请日:2014-10-15

    Abstract: 本发明公开了属于太阳能光伏发电系统故障检测领域的一种利用遮蔽法检测光伏发电系统故障点的方法。通过在日光照射条件下用遮光板对光伏发电系统组串中的光伏电池板实施外部遮蔽,测得不同遮挡下该串联支路的总电压的测量数列,进而对测量数列进行坏值判断,被标定为“坏值”的测量所对应的被遮挡光伏电池板即为故障电池板。本发明的优势在于检测方法无需对现有光伏发电系统进行改造,不增加光伏发电系统的硬件配置,检测过程不需要对系统线路进行拆解,是一种简单有效的太阳能光伏系统故障点检测方法。

    一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法

    公开(公告)号:CN103914085B

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201410148077.3

    申请日:2014-04-14

    Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电技术领域,特别涉及一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法。本发明通过CMOS摄像头采集锥形棒的阴影图像,经过图像去噪及灰度处理,计算出ABCD四个分区的阴影面积及非阴影区的平均亮度;根据非阴影区的平均亮度对天气的阴晴进行判断:在晴天模式下,根据最大阴影面积所在区域向系统的方位角电机及高度角电动推杆发送信号使跟踪系统发生相应转动,保持太阳直射辐射始终垂直入射跟踪装置。本发明能够自动识别阴晴模式,控制精度高,探测角度大,能够使得光伏阵列连续跟踪太阳直射辐射,提高发电效率。

    一种硅壳钨芯加热丝及制备方法

    公开(公告)号:CN103428908A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310349665.9

    申请日:2013-08-12

    Abstract: 本发明公开了加热材料制备技术领域的一种硅壳钨芯加热丝及其制备方法。所述加热丝为在钨丝外表面包裹有高纯硅。本发明的制备方法为将钨丝绕制成所需要的形状放入化学气相沉积反应炉中,通过化学气相沉积反应在钨丝表面沉积高纯硅。本发明的加热丝可广泛应用于各类需要加热的真空设备之中,能够长期、稳定、有效地为系统提供热源。

    一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法

    公开(公告)号:CN103914085A

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201410148077.3

    申请日:2014-04-14

    Abstract: 本发明属于太阳能光伏发电技术领域,特别涉及一种利用棒影图像实现太阳光跟踪的装置和方法。本发明通过CMOS摄像头采集锥形棒的阴影图像,经过图像去噪及灰度处理,计算出ABCD四个分区的阴影面积及非阴影区的平均亮度;根据非阴影区的平均亮度对天气的阴晴进行判断:在晴天模式下,根据最大阴影面积所在区域向系统的方位角电机及高度角电动推杆发送信号使跟踪系统发生相应转动,保持太阳直射辐射始终垂直入射跟踪装置。本发明能够自动识别阴晴模式,控制精度高,探测角度大,能够使得光伏阵列连续跟踪太阳直射辐射,提高发电效率。

    一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103426976A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310342034.4

    申请日:2013-08-07

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。

    一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103426976B

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201310342034.4

    申请日:2013-08-07

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上,沉积多晶硅薄膜,采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底,制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底,将多晶体硅薄膜从衬底上分离,可重复利用优质衬底;大大降低了太阳电池制备成本,优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散,衬底与薄膜的不匹配,薄膜中高缺陷密度等缺点,可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力,多晶硅薄膜的质量也将提高。

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