公开(公告)号：CN118112387A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410363304.8

申请日：2024-03-28

申请人： 华北电力大学

发明人： 张浩然 ,  田博文 ,  杨蕊 ,  蔡雨萌 ,  孙鹏 ,  赵志斌

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明涉及一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备，其包括对碳化硅MOSFET构建双脉冲测试电路；利用双脉冲测试电路进行碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试；根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试获得监测碳化硅MOSFET退化的前兆参数；利用数值分析法分析获得影响前兆参数灵敏度的关键驱动配置参数；结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅MOSFET的退化类型；该方法通过设定前兆参数来实现栅氧退化与封装退化的解耦，可以大大降低监测系统的复杂性，提高监测系统的可靠性，提高解耦的准确性；进而在完成退化类型的解耦后，可根据退化类型对系统实现有针对性的调控，可以大大提高装备的可靠性和运行效率。

公开(公告)号：CN118112386A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410363283.X

申请日：2024-03-28

申请人： 华北电力大学

发明人： 张浩然 ,  田博文 ,  杨蕊 ,  蔡雨萌 ,  孙鹏 ,  赵志斌

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，属于碳化硅半导体器件状态监测领域。其技术方案为：一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，包括以下步骤：构建综合考虑封装寄生参数的碳化硅MOSFET开关特性分析模型；根据分析模型推导漏极电流增加速率；根据漏极电流增加速率定义退化前兆参数，监测退化前兆参数是否大于零：是则判定碳化硅MOSFET发生退化，否则判定碳化硅MOSFET健康。本发明的有益效果是：本发明提供的一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法仅用单个监测量便可综合表征栅氧退化和键合线疲劳两种不同的退化类型、降低监测系统复杂性、提高状态监测系统可靠性。

公开(公告)号：CN117970006A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410223386.6

申请日：2024-02-28

申请人： 华北电力大学

发明人： 张浩然 ,  杨蕊 ,  田博文 ,  蔡雨萌 ,  孙鹏 ,  赵志斌

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/26

摘要： 本申请提供的一种高温功率循环测试装置及测试方法，包括：电源单元，旁路单元，多个测试单元，数据采集单元，上位机，主开关单元，开关组单元；所述测试单元包括散热单元，连接单元，温度传感器单元，驱动单元。通过温度传感器单元实时采集待测器件的壳温，通过预先获取的待测器件的结壳热阻，实时计算当待测器件的当前结温，当前结温达到预设结温阈值时，使旁路单元导通，待测器件断开。本申请对器件栅氧退化的影响进行部分补偿，避免器件老化应力不合理，保证了测试的准确，并通过直流母线的方式为多个测试单元供电，实现多器件并行测试，增加了测试器件的数量，测试效率提高，且待测器件之间相互独立、互不影响，测试平台更加灵活易拓展。