公开(公告)号：CN113540363A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110754198.2

申请日：2021-07-02

Applicant: 华北电力大学 ,  华能集团技术创新中心有限公司 ,  中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司

Inventor： 李海方 ,  李美成 ,  陈帅霖 ,  黄浩 ,  纪军 ,  崔鹏 ,  王欣欣 ,  闫路遥 ,  杜淑贤 ,  赵志国 ,  秦校军

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明提供了一种钙钛矿薄膜缺陷态的气相钝化方法，包括如下步骤：(1)采用物理化学法将钙钛矿前驱液涂覆于导电基底上，经退火处理后形成钙钛矿薄膜；(2)将步骤(1)所述的涂覆有钙钛矿薄膜的导电基底送入反应腔内；(3)将特定的电压加载于步骤(2)所述的导电基底上，进而实现向基底上涂覆的钙钛矿薄膜加载电压；(4)使用缓冲气体将用于缺陷态钝化的气体分子通入至步骤(2)所述的反应腔内，与步骤(3)所述的已加载电压的钙钛矿薄膜进行化学反应；(5)将步骤(4)所述的钙钛矿薄膜和气体分子的反应活性经原位表征系统进行检测，根据反应活性的检测结果即可判断钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。所述方法是通过向钙钛矿薄膜施加电场，诱发钙钛矿薄膜缺陷态与气体分子发生化学反应，实现钙钛矿薄膜缺陷态的钝化。本发明具有条件可控、重复准确性高等优点。

公开(公告)号：CN113328200A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110488019.5

申请日：2021-05-06

Applicant: 华北电力大学

Inventor： 李美成 ,  刘燊 ,  牛凯 ,  陈帅霖 ,  刘乐浩 ,  张来豫

IPC: H01M50/403 ,  H01M50/46 ,  H01M4/139 ,  H01M50/437 ,  H01M50/44 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供了一种隔膜表面直接生长负极材料的制备方法，该方法包括将活性材料和碳材料溶于去离子水中进行超声搅拌，并将该溶液经过旋涂法均匀涂覆于隔膜表面一侧，通过干燥、烧结，制备得到了只有单侧生长负极材料的隔膜。该方法操作步骤极其简单，制备而得的隔膜电极可直接应用于锂离子电池，相比传统锂离子电池制备工艺而言，省去了负极极片的制备步骤，且使用旋涂法生长的活性物质分散更加均匀，厚度也相比传统工艺较小，更利于锂离子的嵌入和脱出；此外，由于隔膜作为离子传输体系的一部分，相对于生长在集流体铜箔上，将活性物质直接生长在隔膜上更利于离子扩散、传输，可有效减少离子扩散路径，从而提高电池的大倍率充放电性能。