公开(公告)号：CN113392609B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110742092.0

申请日：2021-07-01

申请人： 华北电力大学 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 黄华震 ,  李功新 ,  仝涵 ,  王宁燕 ,  王亚婕 ,  黄友聪 ,  吴文斌 ,  卢铁兵

IPC分类号： G06F30/3308

摘要： 本发明涉及一种功率模块开通振荡电流确定方法。方法包括根据开关等效电路模型的参数确定电流上升阶段的电流变化率和压降；获取上管SiCMOSFET的漏源极电容随电压的变化曲线；根据压降和漏源极电容随电压的变化曲线确定的上管SiC MOSFET的漏源极电容的取值；确定电流从稳态电流上升至峰值电流的时间；根据电流从稳态电流上升至峰值电流的时间和电流变化率确定下管SiC MOSFET在开通过程中产生的电流过冲值；根据开通振荡过程的等效电路简化的二阶振荡电路确定开通振荡过程中的衰减系数和固有角频率；根据电流过冲值和衰减系数和固有角频率确定开通电流振荡方程。本发明能够提高开通振荡电流的计算精度。

公开(公告)号：CN113392609A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110742092.0

申请日：2021-07-01

申请人： 华北电力大学 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  中国电力科学研究院有限公司

发明人： 黄华震 ,  李功新 ,  仝涵 ,  王宁燕 ,  王亚婕 ,  黄友聪 ,  吴文斌 ,  卢铁兵

IPC分类号： G06F30/3308

摘要： 本发明涉及一种功率模块开通振荡电流确定方法。方法包括根据开关等效电路模型的参数确定电流上升阶段的电流变化率和压降；获取上管SiCMOSFET的漏源极电容随电压的变化曲线；根据压降和漏源极电容随电压的变化曲线确定的上管SiC MOSFET的漏源极电容的取值；确定电流从稳态电流上升至峰值电流的时间；根据电流从稳态电流上升至峰值电流的时间和电流变化率确定下管SiC MOSFET在开通过程中产生的电流过冲值；根据开通振荡过程的等效电路简化的二阶振荡电路确定开通振荡过程中的衰减系数和固有角频率；根据电流过冲值和衰减系数和固有角频率确定开通电流振荡方程。本发明能够提高开通振荡电流的计算精度。