一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置

    公开(公告)号:CN119001384A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411119938.5

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本申请提供了一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置,该方法包括:获取实际工况中测量的多个螺线管线圈的实际感应电压;所述多个螺线管线圈分别设置在第一压接型半导体器件的侧面上,且与驱动控制端口位于不同区域;所述实际感应电压是当电流从所述第一压接型半导体器件的顶面流向底面时生成的;根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压之间的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态。本申请提供的压接型半导体器件的老化检测方法及装置实现了分析器件内部电流分布情况以评估器件的老化状态,确保半导体器件的可靠性和稳定性,提高老化检测的效率。

    IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置

    公开(公告)号:CN118566676A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410610609.4

    申请日:2024-05-16

    Abstract: 本发明提供了一种IGBT关断延迟过程集射极电压确定方法及装置,方法包括:根据预先建立的IGBT寄生电容模型,利用栅射电容电流、栅集电容电流及栅集电容电压,确定栅极电流表达式,并利用所述栅集电容电压,确定栅集电容表达式;根据所述栅极电流表达式及所述栅集电容表达式,得到集射极电压与栅极电压、栅集电容电压的关系式,并求解所述关系式,确定集射极电压随时间变化表达式。本发明通过确定集射极电压随时间变化表达式,实现利用观测IGBT器件栅极电压、栅极电流来估计集射极电压,实现准确高效地监测IGBT关断延迟过程集射极电压,为IGBT关断过程监测及分析提供依据。

    适用于机械式高压直流断路器测试方法及装置

    公开(公告)号:CN118425757A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410507775.1

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 本发明提供了一种适用于机械式高压直流断路器测试方法及装置,适用于机械式高压直流断路器测试方法包括:根据机械高压直流断路器机械式高压直流断路器内部多个独立模块的电气应力参数确定电流源的测试参数;根据所述测试参数确定满足预设的测试条件所需闭合的机械开关数量;根据所述闭合的机械开关数量以及所述测试参数确定满足所述测试条件的换流支路模块数量,以完成对所述机械高压直流断路器机械式高压直流断路器的测试。本发明在不提供外部耗能、电流过零支路的前提下,仅采用可调频电流源实现了各种试验电流的产生以及短时暂态电压的建立,大大降低了试验容量及其成本。

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