公开(公告)号：CN109881176A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910177031.7

申请日：2019-03-08

Applicant: 华南农业大学

Inventor： 徐海涛 ,  叶俏珏 ,  冯曦亮 ,  刘兆肃 ,  陈婉钧 ,  李秀燕 ,  张凯翔 ,  劳媚媚 ,  邓海东 ,  龙拥兵

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种花瓣状的二硫化钼二维晶体材料及其制备方法和应用。该方法采用常压化学气相沉积法，在惰性气体环境下，通过加热反应物发生化学反应，在衬底上生长花瓣状的二硫化钼二维晶体材料。本发明具有简单易行，操作方便的优点。实验流程便于控制反应物的量，在大面积范围中实现反应物钼源的均匀供给。制备产物形貌特征可控，性能稳定，结晶性好，可进一步用于制备具有高灵敏度，重复性好的SERS传感器，实现对有机分子的快速痕量检测。

公开(公告)号：CN109881176B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910177031.7

申请日：2019-03-08

Applicant: 华南农业大学

Inventor： 徐海涛 ,  叶俏珏 ,  冯曦亮 ,  刘兆肃 ,  陈婉钧 ,  李秀燕 ,  张凯翔 ,  劳媚媚 ,  邓海东 ,  龙拥兵

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B29/64 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明公开了一种花瓣状的二硫化钼二维晶体材料及其制备方法和应用。该方法采用常压化学气相沉积法，在惰性气体环境下，通过加热反应物发生化学反应，在衬底上生长花瓣状的二硫化钼二维晶体材料。本发明具有简单易行，操作方便的优点。实验流程便于控制反应物的量，在大面积范围中实现反应物钼源的均匀供给。制备产物形貌特征可控，性能稳定，结晶性好，可进一步用于制备具有高灵敏度，重复性好的SERS传感器，实现对有机分子的快速痕量检测。