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公开(公告)号：CN110391314B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910575835.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 华南农业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种窄带光电探测器及其制备方法，包括基底、第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体。制备方法如下：在基底表面溅射两种材料制得第一一维光子晶体；在第一一维光子晶体表面溅射介质材料制得第一空间层薄膜；在第一空间层薄膜表面蒸镀金属材料制得第一金属层薄膜；在第一金属层薄膜表面溅射半导体材料制得第一半导体层薄膜，再在其上表面蒸镀金属材料，制得第一金属层薄膜；在第二金属层薄膜表面溅射介质材料制得第二空间层薄膜，在第二空间层薄膜表面溅射两种材料制得第二一维光子晶体。本发明还具有光电响应波长可调、响应带宽窄等优点。
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公开(公告)号：CN110391314A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910575835.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 华南农业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种窄带光电探测器及其制备方法，包括基底、第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体。制备方法如下：在基底表面溅射两种材料制得第一一维光子晶体；在第一一维光子晶体表面溅射介质材料制得第一空间层薄膜；在第一空间层薄膜表面蒸镀金属材料制得第一金属层薄膜；在第一金属层薄膜表面溅射半导体材料制得第一半导体层薄膜，再在其上表面蒸镀金属材料，制得第一金属层薄膜；在第二金属层薄膜表面溅射介质材料制得第二空间层薄膜，在第二空间层薄膜表面溅射两种材料制得第二一维光子晶体。本发明还具有光电响应波长可调、响应带宽窄等优点。
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公开(公告)号：CN210040233U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201920994696.2
申请日：2019-06-28
Applicant: 华南农业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本实用新型公开了一种窄光谱响应的热电子光电探测器，包括基底以及依次位于所述基底上的第一一维光子晶体、第一空间层薄膜、第一金属层薄膜、第一半导体层薄膜、第二金属层薄膜、第二空间层薄膜和第二一维光子晶体。所述第一金属层和第二金属层上设有分别设有第一电极和第二电极。通过设置两个一维光子晶体的结构参数，和第一空间层薄膜和第二空间层薄膜的厚度来控制双Tamm耦合模式的波长，进而调控窄带宽光电探测器的吸收率光谱，即可实现对光电探测器响应度、响应波长和带宽的调控和优化，获得窄带光谱响应的热电子光电探测器。本方案制备的窄带宽光电探测器可应用于高波长分辨率的光电探测领域，具有结构简单、操作方便、容易实施的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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