公开(公告)号：CN107452823A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710687484.5

申请日：2017-08-11

申请人： 华南师范大学

发明人： 李述体 ,  郭德霄 ,  赵亮亮 ,  宋伟东

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/108 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856

摘要： 本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构；所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片；所述沟槽呈平行阵列分布；所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层；所述外延结构包括外延生长于所述沟槽内侧壁的氮化镓微米线，每个沟槽的两个内侧壁分别生长一根氮化镓微米线，所述氮化镓微米线与沟槽方向一致，多个沟槽内的氮化镓微米线形成平行的微米线阵列；所述电极结构包括覆盖于所述氮化镓微米线两端的一对肖特基接触型金属电极。本发明提供的微米线阵列光探测器具有较高的灵敏度和响应速度。

公开(公告)号：CN106229382B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201610783309.1

申请日：2016-08-31

申请人： 华南师范大学

发明人： 李述体 ,  赵亮亮 ,  王幸福

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法。本发明(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。本发明提供的技术方案改善了微纳米量级氮化镓紫外光探测器的光开关比和光增益。实验结果表明，本发明得到的硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的光开关比达到5.4×104，光增益和光敏度分别为8.8×105、2.3×105A/W。

公开(公告)号：CN106229382A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610783309.1

申请日：2016-08-31

申请人： 华南师范大学

发明人： 李述体 ,  赵亮亮 ,  王幸福

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法。本发明(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。本发明提供的技术方案改善了微纳米量级氮化镓紫外光探测器的光开关比和光增益。实验结果表明，本发明得到的硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的光开关比达到5.4×104，光增益和光敏度分别为8.8×105、2.3×10-5A/W。

公开(公告)号：CN107452823B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201710687484.5

申请日：2017-08-11

申请人： 华南师范大学

发明人： 李述体 ,  郭德霄 ,  赵亮亮 ,  宋伟东

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供一种微米线阵列光探测器及其制备方法。本发明提供的微米线阵列光探测器包括衬底、外延结构和电极结构；所述衬底包括表面设置有多个沟槽的硅片；所述沟槽呈平行阵列分布；所述沟槽之间的硅片上表面设置有绝缘层；所述外延结构包括外延生长于所述沟槽内侧壁的氮化镓微米线，每个沟槽的两个内侧壁分别生长一根氮化镓微米线，所述氮化镓微米线与沟槽方向一致，多个沟槽内的氮化镓微米线形成平行的微米线阵列；所述电极结构包括覆盖于所述氮化镓微米线两端的一对肖特基接触型金属电极。本发明提供的微米线阵列光探测器具有较高的灵敏度和响应速度。