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发明公开
针对复杂四线电磁混合耦合结构的建模方法及芯片结构审中-实审

公开(公告)号：CN117131835A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202311072857.X

申请日：2023-08-23

申请人： 华南理工大学

发明人： 车文荃 , 吉娜 , 沈光煦 , 冯林平 , 冯文杰

IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/367

摘要： 本发明公开了一种针对复杂四线电磁混合耦合结构的建模方法及芯片结构，属于无源器件建模领域。其中方法包括：S1、根据设计参数，确定四端口四线耦合结构版图；S2、将第二传输线和第三传输线两根传输线之间的耦合关系用J变换器表示；S3、在四端口双线耦合等效电路模型上添加端口条件构造二端口双线等效电路模型，并在二端口双线等效电路模型上添加两个辅助端口，替换J变换器；S4、提取Y参数矩阵；S5、建立Y参数矩阵与等效电路模型的关系；S6、提取未解耦部分的参数关系式；S7、去掉辅助端口；S8、验证模型的四端口拟合度。本发明建立了一种复杂四线电磁混合耦合结构模型，能更好地展现出多根相互靠近的平行耦合线之间的耦合关系。