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公开(公告)号：CN119811865A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411944107.1
申请日：2024-12-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01F27/34 , H01F27/255
Abstract: 本申请公开了一种一体成型电感磁芯结构，包括电感线圈、磁芯和介电层，磁芯包裹电感线圈，介电层设置在磁芯内，电感线圈的中轴线位于介电层所在的平面，介电层对电感线圈进行分隔，介电层的电阻值高于电感线圈的电阻值。本一体成型电感磁芯结构通过设置介电层，介电层的电阻值相较于电感线圈更高，能够降低电感在高频下的涡流损耗，从而提高本一体成型电感磁芯结构的耐压性能，降低本一体成型电感磁芯结构在高频下的损耗。本申请涉及一体成型电感领域。
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公开(公告)号：CN118222972A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410434574.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/68
Abstract: 本发明公开了一种渗硼剂及镍基体高温合金渗硼方法。本发明的渗硼剂的组成包括B4C、KBF4、Ni粉、Cr粉和α‑Al2O3。本发明的镍基体高温合金渗硼方法是在本发明的渗硼剂的作用下进行两次电场辅助渗硼。本发明的渗硼剂可以在镍基体高温合金表面形成高硬度、致密的渗硼层，提高了渗硼层的厚度和表面硬度，且渗硼层硬度最高的位置在最表层，渗硼时不会形成镍硅硼层，无需后续机械研磨加工处理。本发明的镍基体高温合金渗硼方法对固溶处理后的镍基体高温合金进行渗硼，渗硼温度和渗硼时间与时效温度和时间一致，避免了单独进行时效工艺，能够显著降低能耗和生产成本，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN115472369A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211046800.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高磁性能高电阻率的钕铁硼转子磁体及其制备与应用。本发明将轻稀土低熔点合金粉末与非稀土氧化物粉末按照质量比1：(1～4)混合后，再与有机粘结剂混合得到混合扩散剂；通过将混合扩散剂涂敷于钕铁硼磁体表面并进行扩散热处理，获得所述的转子磁体。本发明方法有效提高矫顽力和电阻率，且对磁能积的负面影响小；扩散剂中不含重稀土元素Dy和Tb，不仅大幅度降低材料成本，提高产品的性价比，还有利于促进稀土资源的平衡利用。
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公开(公告)号：CN114700491A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210316911.X
申请日：2022-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温SPS粉末自粘结技术的La‑Fe‑Si基磁制冷块体材料及其制备方法，将封管热处理成相良好的La‑Fe‑Si基磁制冷材料粉末在高温放电等离子烧结过程中粉末自粘结成型，制备得磁制冷块体材料；所述烧结温度为900℃～1000℃，压力为10～100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料为LaFe11.8Si1.2化合物，其粒径≤300μm。本发明较高的烧结温度使得粉末表面合金熔融。熔融合金填充颗粒之间空隙，降低了材料孔隙度，从而提高了块体材料的致密度，且颗粒之间形成可靠的冶金结合，解决了La‑Fe‑Si材料脆性大，难成型的问题。同时，实现在不添加烧结助剂的前提下烧结成型La‑Fe‑Si基块体材料，最大程度减轻烧结助剂引起的磁稀释效应，制得的块体材料具有良好的磁热效应。
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公开(公告)号：CN114334415A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111570298.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼厚磁体的多层晶界扩散方法。本发明粉末成形之前，在粉末填充模具时分层添加扩散剂，即进行多层扩散，实现磁体成型的同时进行扩散处理，简化了生产工艺和能源消耗。与传统的表面晶界扩散相比，使用相同扩散剂质量进行扩散的情况下，矫顽力提升效果更好。磁体厚度继续增加，将扩散剂的层数做一定的增加可以使磁体达到期望的矫顽力强化效果。在厚磁体中，扩散剂在钕铁硼粉末中预置分层，减小了元素扩散的距离，扩散通道更加充足，有效保证了扩散效果。因此，分层扩散技术可以突破晶界扩散磁体厚度的限制，将晶界扩散工艺与成型或热加工工艺结合在一起，生产工艺简单，能源消耗低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113684457A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110760816.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜及其制备方法与应用。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜由金箔和α‑氧化铝薄膜层叠而成，且α‑氧化铝薄膜部分嵌入金箔。本发明的金基镶嵌结构α‑氧化铝薄膜中的金箔和α‑氧化铝薄膜之间的结合强度高，且α‑氧化铝薄膜的沉积温度低、表面粗糙度低，对CO2激光的波导反射损失小，能够长时间承受CO2激光器射频谐振腔等离子体的刻蚀和激光冲击，将其粘贴在铜基体上制备得到的铜电极适合用于功率高、寿命长、光束质量高、热稳定性好的CO2激光器。
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公开(公告)号：CN110438443B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910781875.2
申请日：2019-08-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光电材料领域，公开了一种核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列及其制备方法。所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列以CuO纳米棒为核，以ZnO纳米晶层为壳。所述制备方法为：直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜，然后采用电场辅助热氧化法加热处理，在基底上得到CuO纳米棒；采用溅射沉积的方法在CuO纳米棒表面制备ZnO纳米晶层，得到所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列。本发明通过ZnO壳来调节CuO纳米棒的电学和光学性质，CuO/ZnO核壳纳米棒展现出新的基于p型半导体的自整流电阻开关行为，提供了一个克服非易失存储器中潜电流问题的有效途径。
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公开(公告)号：CN110534276B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910700359.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热压反应烧结的La‑Fe‑Si基磁制冷复合材料及其制备方法，其由主相La‑Fe‑Si基磁制冷材料和粘结剂RE‑Co基合金粉末均匀混合，经高温热压反应烧结法成型，制备得到磁制冷复合材料；所述高温热压烧结成型的温度为900～1200℃，压力为10～100MPa；所述La‑Fe‑Si基磁制冷材料的粒度≤300μm，RE‑Co基合金粉末的粒径≤100μm。本发明采用高温热压反应烧结，Ce‑Co合金粉末颗粒在高温热压反应烧结的同时扩散进入主相，在原主相颗粒间形成了新成分的主相颗粒，使得各主相颗粒之间相互连接为一体，提高了复合材料的致密度和复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN113224509A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110387792.2
申请日：2021-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01Q1/36 , H01L41/047 , H01L41/06 , H01L41/08 , H01L41/12 , H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/338 , H01L41/47
Abstract: 本发明公开了一种声波谐振电小天线及其制备方法，声波谐振电小天线包括磁电复合材料块和样品台，磁电复合材料块作为样品设置在样品台的中空部分，磁电复合材料块包括压电层和上下两侧的磁致伸缩层，压电层的上下两侧均设置有电极，两个磁致伸缩层分别连接在压电层的上下两侧且与电极接触，两个磁致伸缩层的外侧部分别构成磁电复合材料块的上端面和下端面，上端面和下端面分别通过引线搭接在样品台上，以实现电极的引入以及磁电复合材料块的固定。该声波谐振电小天线可等效为磁偶极子天线，可实现天线的小型化，能避免在高导电损耗媒质下的短路问题。
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公开(公告)号：CN111519131A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010279454.2
申请日：2020-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C8/68
Abstract: 本发明属于金属抗高温氧化腐蚀磨损技术领域，公开了一种基于纯镍基体致密渗硼层的渗硼剂及其制备方法。所述渗硼剂配方为在传统的用碳化硼作供硼剂和氧化铝作填充剂的盛鹏配方中加入1.5～2.0wt％的活性炭作电厂电流稳定剂，配合交流电场辅助催渗作用，在650～800℃范围内可在纯镍基体上制备出40μm以上的渗硼层，渗硼层由Ni3B，Ni2B和Ni4B3相组成，从表面至基体不存在孔洞和疏松，从表面至基体硬度平缓过渡，最高硬度在渗硼层表面，达Hv1200。
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