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发明公开
一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质审中-实审

公开(公告)号：CN115081372A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210616484.7

申请日：2022-06-01

申请人： 华南理工大学

发明人： 车文荃 , 周品皓 , 沈光煦

IPC分类号： G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398

摘要： 本发明公开了一种片上半导体变压器模型、建模方法、装置及存储介质，其中模型包括四部分：第一部分为表征变压器初次级线圈电感及电阻特性的串联支路；第二部分为表征变压器初次级线圈之间以及初次级线圈内部磁场耦合效应的互感；第三部分为表征变压器初次级线圈之间电容耦合效应的寄生电容；第四部分为表征变压器衬底损耗效应的衬底损耗网络。本发明通过梯形衬底损耗网络来替代传统的CRC衬底损耗网络，并在此基础上建立了片上变压器模型，所采用的梯形衬底损耗网络能更好地拟合砷化镓衬底的损耗特性，以使片上半导体变压器模型满足多种工艺。本发明可广泛应用于毫米波集成电路中无源器件建模的领域。