公开(公告)号：CN103665409B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310561809.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李建雄 ,  张美娟 ,  刘安华

IPC: C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  C08J7/14 ,  C08J7/00 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4‑乙撑二氧噻吩溶液，使3,4‑乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有：3,4‑乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需设备简单，工艺调控方便，原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4‑乙撑二氧噻吩复合膜。

公开(公告)号：CN103338596A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310239609.X

申请日：2013-06-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李建雄 ,  张美娟 ,  刘安华

IPC: H05K3/20

Abstract: 本发明公开了一种全加成线路板制作方法。本发明将导电高分子覆于绝缘基材表面，用波长100-200nm的真空紫外辐射，透过掩膜照射导电高分子，破坏导电高分子的共轭结构，使曝光的导电高分子变为绝缘体，在基材表面形成导电图纹，再经电化学沉铜，将基材表面的导电图纹转换成铜线图纹，制作线路板。本发明的特点在于无需光刻胶和光刻工艺，在绝缘基材表面直接电化学沉铜制作铜线图纹。

公开(公告)号：CN103665409A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310561809.7

申请日：2013-11-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李建雄 ,  张美娟 ,  刘安华

IPC: C08J7/04 ,  C08J7/12 ,  C08J7/14 ,  C08J7/00 ,  C08G61/12

Abstract: 本发明公开了一种导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入3,4-乙撑二氧噻吩溶液，使3,4-乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有：3,4-乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需设备简单，工艺调控方便，原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚3,4-乙撑二氧噻吩复合膜。