一种高击穿强度介电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113024245B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202110379857.9

    申请日:2021-04-08

    Abstract: 一种高击穿强度的介电陶瓷材料及其制备方法。本发明的介电陶瓷材料具有高击穿强度,其制备方法包括以下步骤:1)按化学式aTiO2‑bSiO2‑cAl2O3‑xCa3(PO4)2中各试剂的配比称取原料;2)将称取的试剂加入去离子水和氧化锆球磨珠进行球磨,然后添加PVA后对浆料进行喷雾干燥。将得到的混合原料在30MPa下单轴压入直径为15mm的模具中,获得厚度为0.5mm的圆柱形生胚;3)将制备的圆柱形生胚的粘合剂排出,然后在1200~1300℃下烧结,得到烧好的陶瓷片。本发明的介电陶瓷材料具有较高的击穿强度,其制备工艺简单、生产成本低、无铅环保,在高压固态脉冲功率系统中具有广泛的应用前景。

    一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116693283A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310357798.4

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明公开了一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料的制备方法,具体步骤如下:称取重量百分比为40‑50%的BaCO3,重量百分比为5‑10%的B2O3,重量百分比为33‑38%的SiO2和重量百分比为5‑10%的ZnO;将称取的试剂进行球磨、干燥、熔化和淬冷,将淬冷后的玻璃球磨成玻璃粉体;将制备得到的Ba0.3Sr0.7TiO3粉体与玻璃粉体混合得到混合粉体,添加PVA试剂,喷雾干燥,压模后得到生胚;将生胚进行烧结,得到高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料。本发明还公开了一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料,本发明显著降低玻璃的融熔温度和陶瓷介质的烧结温度,提高基介电陶瓷的击穿性能和储能特性。

    一种高击穿强度介电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113024245A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110379857.9

    申请日:2021-04-08

    Abstract: 一种高击穿强度的介电陶瓷材料及其制备方法。本发明的介电陶瓷材料具有高击穿强度,其制备方法包括以下步骤:1)按化学式aTiO2‑bSiO2‑cAl2O3‑xCa3(PO4)2中各试剂的配比称取原料;2)将称取的试剂加入去离子水和氧化锆球磨珠进行球磨,然后添加PVA后对浆料进行喷雾干燥。将得到的混合原料在30MPa下单轴压入直径为15mm的模具中,获得厚度为0.5mm的圆柱形生胚;3)将制备的圆柱形生胚的粘合剂排出,然后在1200~1300℃下烧结,得到烧好的陶瓷片。本发明的介电陶瓷材料具有较高的击穿强度,其制备工艺简单、生产成本低、无铅环保,在高压固态脉冲功率系统中具有广泛的应用前景。

    相框
    6.
    外观设计
    相框 失效

    公开(公告)号:CN303659339S

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201530472808.5

    申请日:2015-11-23

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:相框。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于摆放相片和装饰。3.本外观设计产品的设计要点:本产品的形状、图案及其结合。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:主视图。

    插排
    7.
    外观设计
    插排 失效

    公开(公告)号:CN303661698S

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201530459829.3

    申请日:2015-11-17

    Abstract: 1.本外观设计产品的名称:插排。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于插排。3.本外观设计产品的设计要点:本产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。

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