公开(公告)号：CN119121137A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411198868.7

申请日：2024-08-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 肖嘉滢 ,  王文樑 ,  曹怡诺 ,  刘力玮 ,  文灿

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C16/34 ,  C23C14/02 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明公开了一种GaN薄膜及其制备方法和应用。本发明的GaN薄膜的制备方法包括以下步骤：1)将AlN陶瓷靶作为原料，采用脉冲激光沉积工艺在衬底上沉积AlN薄膜；或者，先在衬底上沉积AlN薄膜，再将金属Mo和硫粉作为原料，采用磁控溅射工艺在AlN薄膜上沉积MoS2薄膜；2)将三甲基镓、三甲基铝和氨气作为原料，采用有机金属化学气相沉积工艺在AlN薄膜或MoS2薄膜上沉积GaN薄膜。本发明将低温PLD和高温MOCVD有机结合来制备GaN薄膜，具有简单易操作、成本低廉、适用于大批量生产等优点，制备得到的GaN薄膜表面光滑、厚度可控、结晶良好、生长均匀，适合在光电子领域和微电子领域大规模应用。