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公开(公告)号：CN112063382B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010782939.3
申请日：2020-08-06
Applicant: 华南理工大学
Inventor： 彭明营 , 熊普先 , 郑炽彬 , 卡塞姆·阿布杜卡雷姆 , 张静
IPC: C09K11/62
Abstract: 本发明属于力致发光材料的技术领域，公开了一种不需预辐照及发光即时自恢复的力致发光材料及其制备方法。所述力致发光材料的通式为LiGa5(1‑x)O8:5xCr3+；其晶体结构属于立方晶系，激活离子为Cr3+。所述方法：按照元素摩尔比Li:Ga:O:Cr＝1:5(1‑x):8:5x，0.04％≤x≤0.24％；分别称取含锂、镓和铬的化合物原料，混匀后在氧化性气氛下于600～1000℃预烧，在氧化性气氛下于1250～1550℃进行高温处理，得到力致发光荧光材料。本发明的力致发光材料不需要高能射线预辐照即可实现力致发光，并且其力致发光强度可自恢复。本发明的方法简单，易实现量产。
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公开(公告)号：CN116730621B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310624812.2
申请日：2023-05-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了高结晶度和透明度的稀土掺杂氟氧微晶玻璃及其制备方法。该微晶玻璃的摩尔百分比组成为：B2O3：29‑54mol％，SiO2：10‑20mol％，ZnO：5‑15mol％，K2O：15‑20mol％，YF3：5‑25mol％，RF3：1‑5mol％(R：为稀土元素)。其制备方法是制备出前驱体玻璃，然后通过热处理工艺对前驱体玻璃做晶化处理得到稀土掺杂氟氧微晶玻璃氟氧微晶玻璃；所制得的微晶玻璃在近红外至可见光范围具有良好透光性，稀土离子的发光得到显著增强；本发明制备的稀土掺杂含KYF4纳米晶的氟氧微晶玻璃克服了透过率和结晶度的矛盾，同时实现了高结晶度和高透过率。
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公开(公告)号：CN109810700B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910041981.7
申请日：2019-01-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明属于发光材料领域，公开了一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法。所述长余辉荧光粉的表达通式为Sr2‑xSnO4:xTm3+；其中0≤x≤0.05；Tm取代晶体中的Sr，x表示取代率；其晶体结构属于四方晶系，激活离子为Tm3+。分别称取锶、锡、铥金属或含锶、锡、铥的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛及800～900℃温度下预烧，然后取出研磨混匀后在氧化性气氛及1350～1500℃温度下灼烧，得到超宽可见到近红外的长余辉荧光粉。本发明仅通过单一的Tm离子掺杂，在锡酸盐基质中实现了可见到近红外均有长余辉发光的性能，具有超宽的长余辉发射带。
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公开(公告)号：CN109810700A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910041981.7
申请日：2019-01-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明属于发光材料领域，公开了一种超宽可见到近红外的长余辉荧光粉及其制备方法。所述长余辉荧光粉的表达通式为Sr2-xSnO4:xTm3+；其中0≤x≤0.05；Tm取代晶体中的Sr，x表示取代率；其晶体结构属于四方晶系，激活离子为Tm3+。分别称取锶、锡、铥金属或含锶、锡、铥的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛及800～900℃温度下预烧，然后取出研磨混匀后在氧化性气氛及1350～1500℃温度下灼烧，得到超宽可见到近红外的长余辉荧光粉。本发明仅通过单一的Tm离子掺杂，在锡酸盐基质中实现了可见到近红外均有长余辉发光的性能，具有超宽的长余辉发射带。
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公开(公告)号：CN109294574A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811336900.8
申请日：2018-11-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种锰掺杂的橙色锗锡酸盐长余辉荧光粉，化学通式为Na2CaSn2-xGe3O12:xMn2+；其中0.01≤x≤2.0％；Mn取代晶体中的Sn，x表示取代率；激活离子为Mn2+。本发明还公开了一种锰掺杂的橙色锗锡酸盐长余辉荧光粉的制备方法。本发明的橙色锗锡酸盐长余辉荧光粉，在254nm紫外光激发下，具有500～750nm波段的长余辉发射，余辉时间20s以上，从而可以实现紫外光到橙红光的转化，本发明的荧光粉的余辉发射波段较商用的蓝色、绿色长余辉材料长，扩宽了长波段长余辉材料的应用，并且部分波段落入了第一生物窗口(650-950nm)，有望实现生物应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116730621A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310624812.2
申请日：2023-05-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了高结晶度和透明度的稀土掺杂氟氧微晶玻璃及其制备方法。该微晶玻璃的摩尔百分比组成为：B2O3：29‑54mol％，SiO2：10‑20mol％，ZnO：5‑15mol％，K2O：15‑20mol％，YF3：5‑25mol％，RF3：1‑5mol％(R：为稀土元素)。其制备方法是制备出前驱体玻璃，然后通过热处理工艺对前驱体玻璃做晶化处理得到稀土掺杂氟氧微晶玻璃氟氧微晶玻璃；所制得的微晶玻璃在近红外至可见光范围具有良好透光性，稀土离子的发光得到显著增强；本发明制备的稀土掺杂含KYF4纳米晶的氟氧微晶玻璃克服了透过率和结晶度的矛盾，同时实现了高结晶度和高透过率。
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公开(公告)号：CN112063382A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010782939.3
申请日：2020-08-06
Applicant: 华南理工大学
Inventor： 彭明营 , 熊普先 , 郑炽彬 , 卡塞姆·阿布杜卡雷姆 , 张静
IPC: C09K11/62
Abstract: 本发明属于力致发光材料的技术领域，公开了一种不需预辐照及发光即时自恢复的力致发光材料及其制备方法。所属述于力立致方发晶光系材，激料活的离通子式为为CLriG3+a。5所(1‑述x)O方8:法5x：C按r3照+；元其素晶体摩结尔构比Li:Ga:O:Cr＝1:5(1‑x):8:5x，0.04％≤x≤0.24％；分别称取含锂、镓和铬的化合物原料，混匀后在氧化性气氛下于600～1000℃预烧，在氧化性气氛下于1250～1550℃进行高温处理，得到力致发光荧光材料。本发明的力致发光材料不需要高能射线预辐照即可实现力致发光，并且其力致发光强度可自恢复。本发明的方法简单，易实现量产。
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公开(公告)号：CN111286331A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010178032.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 本发明公开了一种Bi3+掺杂窄带蓝光铝镓酸盐荧光粉及其制备方法。其表达通式为Y3-xAl2Ga3O12:x0.B05i3;+B,i其3+取中代x晶=0体.0中02的~Y，x表示取代率，激活离子为Bi3+。该荧光粉发射峰位于410nm，主要激发峰在370 nm，与现有近紫外LED芯片良好匹配。本发明还公开了上述荧光粉的制备方法，包括以下步骤：分别称取含钇、铝、镓和铋的化合物原料；将称取的化合物原料研磨后在氧化性样气品氛取下出灼，研烧磨，温后度得为到1B2i530+掺~1杂50窄0℃带，蓝时间光镓为酸4~8盐h；荧将光灼粉烧。后本的发明采用高温固相烧结法，制备方法简单，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN109294573A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811328281.8
申请日：2018-11-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种基质近红外长余辉荧光粉,发光材料为SrSnO3，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。本发明还公开了基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其包括以下步骤：(1)按表达通式Sr1-xSnO3:xHo3+，分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；(3)将步骤(2)预烧后的样品取出，研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧，温度为1000℃～1300℃，时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。本发明的基质近红外长余辉荧光粉，通过Ho3+掺杂，其余辉强度提高约8倍，余辉时间从7s增加到32s。
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公开(公告)号：CN108753285A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810398487.1
申请日：2018-04-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66
CPC classification number: C09K11/7756
Abstract: 本发明公开了一种近红外力致发光锡酸盐，表达通式为Sr3‑xSn2O7:xNd3+；其中x＝0.05‑10％；Nd取代晶体中的Sr，x表示取代率；激活离子为Nd3+。本发明还公开了上述近红外力致发光锡酸盐的制备方法：(1)分别称取含锶、锡、钕的化合物原料；(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在空气下灼烧，温度为1300‑1500℃，时间为2‑5h；(3)将步骤(2)灼烧后的样品取出，研磨均匀得到近红外力致发光锡酸盐荧光粉。本发明还公开了上述近红外力致发光锡酸盐的应用。本发明的近红外力致发光锡酸盐发射峰主峰位于900nm，发光效果很好，且制备工艺简单。
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