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公开(公告)号：CN118290144A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410414007.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料及其制备方法。该材料由SnO2，Zn2SnO4和B4C粉料组成，所述SnO2粉料和Zn2SnO4粉料的摩尔比为1:(0.2～0.5)，B4C粉料的摩尔添加量为SnO2粉料和Zn2SnO4粉料之和的0.05～0.3％。通过传统陶瓷制备工艺，即可获得一种低温烧结SnO2基压敏陶瓷材料。本发明制备的低温烧结的SnO2基压敏陶瓷材料，与现有SnO2基压敏陶瓷相比，所需要的烧结温度更低，电性能更优异，工艺简单。
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