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公开(公告)号:CN104911664B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201510371995.7
申请日:2015-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法,先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜,再进行微弧氧化处理;所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜,具体包括以下步骤:(1)对高硅铝合金进行前处理;(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr钝化膜:(2‑1)制备钝化液:每升去离子水中含有1‑5g单宁酸、1‑4g氟钛酸、1‑2g氟锆酸、1‑4g偏钒酸钠;(2‑2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中,处理时间为1‑4min;处理温度为25℃。本发明降低了硅对微弧氧化的不利影响,且工艺简单、高效、环保的条件下,取得缩短铸造铝硅合金微弧氧化过程起弧时间,降低单位能耗的效果。
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公开(公告)号:CN104911664A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510371995.7
申请日:2015-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种降低高硅铝合金微弧氧化单位能耗的方法,先在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜,再进行微弧氧化处理;所述在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr预钝化膜,具体包括以下步骤:(1)对高硅铝合金进行前处理;(2)在高硅铝合金的表面制备Ti/Zr钝化膜:(2-1)制备钝化液:每升去离子水中含有1-5g单宁酸、1-4g氟钛酸、1-2g氟锆酸、1-4g偏钒酸钠;(2-2)将高硅铝合金浸泡在钝化液中,处理时间为1-4min;处理温度为25℃。本发明降低了硅对微弧氧化的不利影响,且工艺简单、高效、环保的条件下,取得缩短铸造铝硅合金微弧氧化过程起弧时间,降低单位能耗的效果。
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