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公开(公告)号：CN115983196A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310261403.0
申请日：2023-03-17
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392 , G06F30/394 , G06F119/10
摘要： 本申请技术针对复杂的片上系统芯片设计所面临的噪声耦合和屏蔽的关键问题，提出了一个物理版图设计验证流程中用电学节点分类、图层过滤、和查询LVS结果数据库的方法来筛选并自动生成噪声源节点走线和噪声敏感节点走线的物理版图数据的方法，该方法能够图像化地直观显示芯片顶层的噪声耦合与屏蔽检查的结果，对于以“电路设计‑布局布线‑寄生参数提取‑后仿真”为核心的递增式射频模拟电路的设计流程来说极大地提高了设计效率。
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公开(公告)号：CN113255382B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110592676.4
申请日：2021-05-28
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
摘要： 本发明属于射频识别技术领域，具体是指一种射频场包络峰值检测信号驱动的放电控制电路和方法。本发明所述的放电控制电路在读写设备到射频识别标签的下行通讯模式中，除了由常规的解调电路进行解调之外，也可以在峰值检测模块和数字逻辑模块的控制下，对含有指令和数据信息的码流信号在射频场包络上产生的变化而做出适应性放电操作，从而大大加强了射频识别标签电路的下行通讯灵敏度。本技术总体上提高了射频识别标签的解调能力，降低了解调电路模块的设计难度和生产制造成本，提升了射频识别标签芯片产品的竞争性。
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公开(公告)号：CN113259292A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110592707.6
申请日：2021-05-28
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
摘要： 本发明属于射频识别技术领域，具体是指一种差分输入的射频识别标签调幅波包络信号解调电路，所述解调电路包括信号输入模块和包络解调模块两部分，信号输入模块用于采样外部指令信号，并以调幅波形式通过双端输入至包络解调模块，包络解调模块包括共模信号提取模块和数字输出模块两部分，共模信号提取模块用于从信号输入模块输入的调制信号中提取出双端输入的差分信号的包络分量的共模电压作为包络信号，数字输出模块用于将提取出的共模信号转换成为代表输入调幅波包络信息的数字方波信号。本发明采用差分输入结构对天线端进行采样，差分对管的跨导Gm可以足够大，所以该结构有较高的灵敏度和很好的适应性。
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公开(公告)号：CN105116954B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510564335.0
申请日：2015-09-07
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司 , 无锡智速科技有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及模拟集成电路设计领域，具体是指一种具有宽输入电压范围和高精度输出的自偏置带隙基准电路，该自偏置结构在高电源电压下，可有效减小偏置点Vx和Vy的电压差异，提高匹配精度，进而提高输出基准电压的精度。同时，本发明自偏置电路结构并没有采用运放，结构简单，降低了功耗，解决了在薄栅氧高压器件的应用，消除了运放输出电压特别的钳压控制，以防止在薄栅氧高压下对高压MOS管栅极的击穿，并且由于本发明输入电压Vdd的最小值为MOS管的阈值电压之和，Vdd的最大值与MOS管的Vds耐压值有关，这个可以是很高的数值，因此本发明可以在很宽的输入电压范围内工作。
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公开(公告)号：CN103837243B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410118216.8
申请日：2014-03-27
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司 , 无锡智速科技有限公司
IPC分类号： G01K1/00
CPC分类号： G01K3/04 , G01K7/01 , G05F1/463 , H03K5/153 , H03K17/687 , H03K19/21 , H03K21/026 , H03K2005/00019
摘要： 本发明所述时间域集成温度传感器采用经过整形后的时钟信号对电容充电时间进行控制，使得电容产生与输入时钟周期相关的充电延时信号，一路PTAT电流按照以上的控制方式为电容充电产生的延时信号和一路CTAT电流按照同样方式为电容充电产生的延迟信号经过逻辑异或运算，产生其宽度与温度和输入时钟周期均相关的脉冲信号；于是采用同一输入时钟信号对该脉冲信号的脉冲宽度进行量化，得到的量化结果与输入时钟的周期的相关性完全抵消，即温度传感器的输出值与输入时钟信号的周期无关，解决了现有时间域集成温度传感器随其时钟信号周期变化而读数不一致的问题，一定程度提高了时间域集成温度传感器的精度。
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公开(公告)号：CN102710241B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210140984.4
申请日：2012-05-08
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司 , 无锡智速科技有限公司
IPC分类号： H03K17/22 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/0701
摘要： 本发明适用于射频领域，提供了一种无源射频识别上电复位电路及无源射频识别标签，所述电路包括：检测单元，用于对电源电压的幅值进行检测，输出电源检测信号和跟随控制信号；跟随控制单元，用于根据所述跟随控制信号生成跟随所述电源检测信号和所述电源电压的电源跟随信号；延时单元，用于对所述电源跟随信号进行延迟及去毛刺处理，生成复位信号。本发明在上电的过程中，通过使电源跟随信号紧紧跟随电源电压，有效抑制了假脉冲信号的产生，有效地避免了由于存在假脉冲信号而导致上电复位信号对系统的误触发，保证了系统的可靠性，并且在复位后仅有一个开关管导通，实现低功耗复位。
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公开(公告)号：CN103440391A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310420148.6
申请日：2013-09-16
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明涉及半导体设计技术领域。本发明实现了在一个仿真作业中连续扫描工艺角，并以工艺角为自变量，使仿真程序输出以器件模型在各种工艺角条件下的参数值，或仿真电路在各种工艺角条件下的性能响应值为应变量的波形曲线图的扫描仿真方法，使器件模型或仿真电路在各种工艺角条件下的工艺性能偏差在同一个坐标系内呈现出来，为设计人员提供直观的技术参照，对电路进行适当的工艺偏差设计，防止由于工艺的偏差影响而使电路出现致命的缺陷，大大简化了仿真程序的处理流程，提高设计人员的研发效率。
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公开(公告)号：CN115983196B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310261403.0
申请日：2023-03-17
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392 , G06F30/394 , G06F119/10
摘要： 本申请技术针对复杂的片上系统芯片设计所面临的噪声耦合和屏蔽的关键问题，提出了一个物理版图设计验证流程中用电学节点分类、图层过滤、和查询LVS结果数据库的方法来筛选并自动生成噪声源节点走线和噪声敏感节点走线的物理版图数据的方法，该方法能够图像化地直观显示芯片顶层的噪声耦合与屏蔽检查的结果，对于以“电路设计‑布局布线‑寄生参数提取‑后仿真”为核心的递增式射频模拟电路的设计流程来说极大地提高了设计效率。
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公开(公告)号：CN115983195A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310261401.1
申请日：2023-03-17
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
IPC分类号： G06F30/398 , G06F30/392 , G06F115/06 , G06F119/10
摘要： 本申请技术针对复杂的片上系统芯片设计所面临的噪声耦合和屏蔽的关键问题，提出了一个物理版图设计验证流程中的用设计规则检查(DRC)的方法收集和筛选噪声源节点走线和噪声敏感节点走线的几何图形，并用几何图形运算的定量方法过滤筛选出产生较大寄生电容的交叠面积和平行走线区域。本方法除了能够图像化地直观显示芯片顶层的噪声耦合与屏蔽检查的结果，更能够以ASCII格式输出的数据库结果，叠加在原始的物理版图数据库上，其几何图形运算的定量结果可以以ASCII格式输出到报告文件中。本发明对于以“电路设计‑布局布线‑寄生参数提取‑后仿真‑电路设计修改”为核心的循环递增式射频模拟电路的设计流程来说极大地提高了设计效率。
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公开(公告)号：CN114189212A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210140671.2
申请日：2022-02-16
申请人： 卓捷创芯科技(深圳)有限公司
发明人： 吴边
摘要： 本发明属于射频识别技术领域，具体是指一种自动补偿RFID谐振频率统计和温度漂移的方法和电路。本申请针对射频识别标签芯片产品所面临的统计漂移和温度漂移对谐振性能的影响提出了一个完整的校准补偿技术，对统计漂移的自动补偿使得射频识别标签成品加工工序中省掉了一个用专门设备进行校准的工序，极大地提高了生产效率和成品率。本申请还包含谐振电路温度漂移的自动补偿技术，用多种不同的实施方案针对不同精细化逻辑控制要求的产品，从根本上解决了温度漂移对谐振频率的影响。本申请提出的上电复位后的频率校准流程明确地提出了实施统计漂移和温度漂移补偿的控制步骤，其指导思想可以延伸为低功耗无线通讯领域的更具一般性的电路补偿技术。
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