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公开(公告)号：CN114855259A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111575798A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010461450.6
申请日：2020-05-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种无铅钙钛矿晶体CH3NH3SnBr3的制备方法，将甲胺溶液和氢溴酸溶液混合得到白色状CH3NH3Br粉末，然后制备SnBr2溶液，接着将CH3NH3Br粉末溶解在Br2溶液中得到无色透明CH3NH3SnBr3溶液，将步CH3NH3SnBr3溶液在90℃的温度下静置2h，然后降温至65℃，将降温后的CH3NH3SnBr3溶液上层饱和溶液转移到另一个预热的烧瓶中，然后降温至晶体析出，得到CH3NH3SnBr3晶体，生长结束后取出晶体并真空封装。本发明采用溶液降温法，制备方法简单，易于操作，具有合成工艺简单，生长周期短的优点；同时，将配置好的溶液降温后取出上层清液并转移，可以简单方便地获得饱和的生长母液，晶体的生长周期较短。
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公开(公告)号：CN110616461A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910989848.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的制备方法，该方法采用降温法按摩尔比CsBr：BiBr3：AgBr=2:1:1的比例量取CsBr溶液、BiBr3溶液和AgBr粉体，先在常温下将CsBr溶液和BiBr3溶液相混合并充分搅拌，然后加入AgBr粉体，得到橙黄色母液，通过上层溶液生长并对降温合理控制，可以获得到高质量的Cs2AgBiBr6晶体。制备方法简单，不含有毒物质，为制备基于Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的光电器件的性能提供材料和理论基础。本发明制备设备简单，结晶组分单一，符合剂量比，结晶质量好。
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公开(公告)号：CN114855259B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN114703539B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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公开(公告)号：CN114703539A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210345908.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及晶体材料制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯溴化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，制备方法包括如下步骤：将等摩尔的CsBr和CuBr2混合、研磨得到第一多晶粉体；将等摩尔的CsCl和CuCl2混合、研磨得到第二多晶粉体；将第一多晶粉体和第二多晶粉体混合并研磨；将混合多晶粉体溶解于去离子水形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于35℃‑40℃下,再恒温蒸发溶剂得到氯溴化铯铜晶体。本发明制备的新型混合卤素钙钛矿CsCu(Br1‑xClx)3材料，采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点，可以得到高质量、大尺寸的CsCu(Br1‑xClx)3晶体。
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