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公开(公告)号：CN118658943A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410951284.6
申请日：2024-07-16
申请人： 南京信息工程大学 , 新型显示与视觉感知石城实验室
摘要： 本发明提供一种基于非铅钙钛矿的Micro‑LED芯片及其制备方法，所采用的发光材料的化学式结构为AB2X3、A2BX4、A3B2X5、A4BX6中的一种，A位为一价金属阳离子或有机官能团，B位为过渡金属中的二价阳离子或Cu+，X位为卤族离子。不同于传统的Micro‑LED芯片，本发明采用非铅钙钛矿发光二极管器件可以提高发光效率和色纯度，同时避免了传统Micro‑LED中铅基钙钛矿材料的污染性，并达到降低生产成本的目的。本发明采用主动发光的蓝光非铅钙钛矿激发红色和绿色发光，进一步提高了器件的发光效率。本发明还利用冠醚类化合物的环状结构使其能够与金属或有机阳离子配位形成稳定的配位复合物，通过钝化缺陷和优化薄膜形貌，有效降低钙钛矿薄膜的非辐射复合率，从而进一步提高发光效率。
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公开(公告)号：CN117939973A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410087922.4
申请日：2024-01-22
申请人： 南京信息工程大学
IPC分类号： H10K71/12 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K59/80 , H10K59/50 , H10K50/12 , C09K11/75 , C09K11/02
摘要： 本发明公开了一种基于稀土掺杂的非铅钙钛矿量子点的显示背光模组及制备方法，属于背光模组领域。本发明提供的显示背光模组，包括基板、钙钛矿量子点光学膜、导光板、光源、反射膜、增亮膜和扩散膜。本发明还提供了所述稀土掺杂的非铅钙钛矿量子点光学膜的制备方法。本发明所述的所述稀土掺杂的非铅钙钛矿量子点通过溶液法制成，经室温沉淀，并通过多次离心纯化，最后使用旋涂法获得所述稀土掺杂的非铅钙钛矿量子点光学膜。本发明不含铅元素，绿色环保。本发明通过掺杂稀土离子，提高非铅钙钛矿量子点发光光谱可调控性和发光量子产率，并且加强其稳定性，使其具有优良的发光性能。本发明所述基于稀土掺杂的非铅钙钛矿量子点光学膜的显示背光模组可以显著提高显示屏的亮度和显示色域，并且发光均匀，可适用于多种显示屏。
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公开(公告)号：CN117337056A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311391085.6
申请日：2023-10-25
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明公开一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器，属于光电探测器领域；一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器从下至上依次包括：透明阳极、电子传输层、钙钛矿层、硫化铅量子点层和金属阴极；所述透明阳极所用材料为氧化铟锡、氧化锡、氧化铝或氧化镉；所述电子传输层所用材料为氧化锌、氧化锌镁和二氧化钛；所述钙钛矿层中，钙钛矿ABX3的A位阳离子元素为铯，B位阳离子元素为铅，X位卤素阴离子为溴、氯或碘；所述金属阴极所用材料为金、银或铝；通过多元金属离子协同掺杂策略和构筑钙钛矿‑硫化铅量子点异质结结构，可以从抑制载流子非辐射复合和提高光生载流子输运效率两方面共同改善器件在红外波段的响应性能。
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公开(公告)号：CN118175864A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410287309.7
申请日：2024-03-13
申请人： 南京信息工程大学
IPC分类号： H10K50/115 , H10K85/50 , H10K71/00
摘要： 本发明公开一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED及其制备方法，属于半导体技术领域；一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED由上至下依次包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED、CMOS集成电路基板；GaN蓝光发光单元包括多个蓝光LED像素点，并集成于CMOS集成电路基板上；量子点色转换单元由下至上依次包括：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜；钙钛矿量子点层的发光材料为ABBr3‑Ni(AcO)2；其中，A为机官能团MA+、Cs+、Na+或Rb+，B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+；从而实现更为简单的制备工艺和更加稳定的器件性能。
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公开(公告)号：CN118048143A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410127688.3
申请日：2024-01-30
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明属于量子点材料领域，具体涉及一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法；所述制备方法包括下述步骤：S1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液；S2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一；S3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物，使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤，再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到QDs@SiO2粉末；S4、将QDs@SiO2粉末粉末样品通过筛网进行筛选，除去较大的结块样品，将筛选后的QDs@SiO2粉末加入原子层沉积反应器中，将三甲基铝作为Al2O3的前驱体，并用N2作为载气进行吹扫，使得QDs@SiO2粉末均匀涂层，形成致密的Al2O3保护膜，最终得到双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子；所述原子层沉积的温度为60℃‑90℃，且循环次数为50‑100次。
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公开(公告)号：CN117835708A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410004982.5
申请日：2024-01-03
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明公开一种柔性非铅钙钛矿探测器及气体检测系统，属于气体检测技术领域；探测器是通过在PEN/ITO柔性衬底上旋涂碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液，并在滴加反溶剂，形成薄膜，最后经退火制备而成；在气体检测系统设置两个柔性非铅钙钛矿探测器，耦合器将激光器射出的激光分为两路分别入射到气室和可调节光纤衰减器中，然后分别入射到两个探测器，之后两路信号输出的电流信号，经过放大电路模块进行信号放大，通过差分模块和锁相器模块对其信号进行分析，再将锁相器得到的二次谐波信号输入到计算机控制单元进行实时分析，从而实现气体浓度的检测；引入碱离子来抑制光生载流子的非辐射复合，提高光响应性能，更进一步的提升气体检测的准确性。
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公开(公告)号：CN117608126A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311778885.3
申请日：2023-12-22
申请人： 南京信息工程大学
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明公开一种基于掺杂钙钛矿量子点光学膜的显示背光模组，属于背光模组技术领域；一种基于掺杂钙钛矿量子点光学膜的显示背光模组包括基板，基板上端设置有钙钛矿量子点光学膜，钙钛矿量子点光学膜的上下两侧分别设置有导光板和光源，导光板上端设置有反射膜；光源照射导光板，导光板将光线导向钙钛矿量子点光学膜，钙钛矿量子点光学膜将光线通过反射膜辐射到显示屏上。采用钙钛矿量子点光学膜作为转换层，当光线照射到钙钛矿量子点上时，激发了量子点内部的电荷转移和发光过程，从而产生高亮度和鲜艳度的光线；并且这些光线经过反射膜的反射，形成了背光模组并提高了显示屏的亮度和对比度，可以提高显示屏的亮度和色彩鲜艳度。
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公开(公告)号：CN118555852A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410305712.8
申请日：2024-03-18
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED，所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成，所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合，所述吸电子基数量为1～3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理，在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层，有助于提高ITO表面功函数，平衡发光器件的缺陷和功函数，提高发光器件的亮度和外量子效率。
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公开(公告)号：CN117412647A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311464027.1
申请日：2023-11-06
申请人： 南京信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于非铅钙钛矿光学薄膜的显示背光模组及制备方法，属于背光模组领域。该制备方法，包括：在N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混合溶液中，加入碘化铯和碘化亚铜，并进行充分搅拌；将Cs3Cu2I5与CsCu2I3混合溶液加热搅拌至溶解，得到前驱体溶液；取上述非铅钙钛矿前驱体溶液，旋涂于电子传输层和导光层组合区域中；向所述组合区域的顶部滴加反溶剂以辅助结晶形成薄膜；进行退火，使溶剂蒸发，得到光学薄膜。本发明的显示背光模组将两种发光模式结合，可以产生高亮度和高色纯度的光线。这些光线经过增透膜的汇聚与整合，形成了背光模组并提高了显示屏的亮度和发光均匀度，从而改善了显示屏的显示效果，具有发光效率高，色纯度高、环境友好的特点。
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公开(公告)号：CN117355159A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311299189.4
申请日：2023-10-09
申请人： 南京信息工程大学
IPC分类号： H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/84 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K71/12 , C30B29/22 , H10K85/60 , H10K85/10
摘要： 本发明公开一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管，属于发光二极管技术领域；一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管包括：玻璃、ITO导电层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前体溶液和经聚合物掺杂的反溶剂通过抗溶剂结晶法在室温下制备于空穴传输层上侧面；本发明采用聚合物渗透抗溶剂结晶法，将聚合物通过反溶剂渗透进入钙钛矿层中，其中的特殊聚合物链可以与钙钛矿形成相互作用的化学键从而延缓钙钛矿晶粒的生长，最终达到钙钛矿薄膜缺陷钝化和晶体生长调节的双重效果。
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