公开(公告)号：CN114540958A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210182597.0

申请日：2022-02-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  刘蕾 ,  李涛涛 ,  施毅

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法，所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成，双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖，两层尺寸一致且边缘对齐，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨；所述连续薄膜的制备方法为气相沉积法，在衬底表面形核双层的晶粒，该双层晶粒上下两层对齐、等速生长，拼接为均匀、连续的双层薄膜；所述连续薄膜可达到厘米级别，完全满足高性能电子器件集成的要求。

公开(公告)号：CN114540958B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210182597.0

申请日：2022-02-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 王欣然 ,  刘蕾 ,  李涛涛 ,  施毅

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/02

Abstract: 本发明公开了一种双层过渡金属硫族化合物连续薄膜及其制备方法，所述双层过渡金属硫族化合物连续薄膜由衬底和衬底表面形核双层的晶粒组成，双层晶粒在衬底的高台阶处均匀成形并连续覆盖，两层尺寸一致且边缘对齐，所述过渡金属硫族化合物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化钨；所述连续薄膜的制备方法为气相沉积法，在衬底表面形核双层的晶粒，该双层晶粒上下两层对齐、等速生长，拼接为均匀、连续的双层薄膜；所述连续薄膜可达到厘米级别，完全满足高性能电子器件集成的要求。