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公开(公告)号：CN115872349A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310194573.1
申请日：2023-03-03
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。
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公开(公告)号：CN114709579B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210353291.7
申请日：2022-04-06
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提出了一种片上集成太赫兹功能芯片的波导封装，包括：金属上腔体封装盖、金属下腔体载片盒、置于金属下腔体载片盒上的太赫兹功能芯片，其中金属下腔体载片盒上设置波导矩形通道，与所述金属上腔体封装盖组装形成含有金属矩形波导封闭金属封装盒；所述太赫兹功能芯片安装在金属矩形波导的中心，功能芯片的传输端口置入矩形波导，将电磁场信号耦合到太赫兹功能芯片中。本发明加工简单，工艺成熟，显著降低了太赫兹集成系统的信号传输损耗，组成一体化封装的每个模块非常灵活，可以根据需要灵活调节尺寸参数，适用于多场景下的太赫兹信号片上探测与处理。
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公开(公告)号：CN114709579A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210353291.7
申请日：2022-04-06
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提出了一种片上集成太赫兹功能芯片的波导封装，包括：金属上腔体封装盖、金属下腔体载片盒、置于金属下腔体载片盒上的太赫兹功能芯片，其中金属下腔体载片盒上设置波导矩形通道，与所述金属上腔体封装盖组装形成含有金属矩形波导封闭金属封装盒；所述太赫兹功能芯片安装在金属矩形波导的中心，功能芯片的传输端口置入矩形波导，将电磁场信号耦合到太赫兹功能芯片中。本发明加工简单，工艺成熟，显著降低了太赫兹集成系统的信号传输损耗，组成一体化封装的每个模块非常灵活，可以根据需要灵活调节尺寸参数，适用于多场景下的太赫兹信号片上探测与处理。
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公开(公告)号：CN115872349B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310194573.1
申请日：2023-03-03
申请人： 南京大学
摘要： 本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度。
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公开(公告)号：CN115939262A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/115
摘要： 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN115939262B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
申请人： 南京大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/115
摘要： 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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